[发明专利]具有延展层的微电路封装体

权利要求书

1.一种微电路封装体，其包括：

具有第一表面的基底，所述基底由铜、铜合金、银或银合金形成；

具有第一表面和第二表面的延展材料层，所述层的第一表面附着到基底的第一表面上；

具有第一表面和第二表面的阻隔层，阻隔层的第一表面附着到延展材料层的第二表面上；

具有第一表面和第二表面的金层，金层的第一表面附着到阻隔层的第二表面上；

具有第一表面和第二表面的共晶层，共晶层的第一表面附着到金层的第二表面上，所述共晶层由金锡(AuSn)合金、金硅(AuSi)合金、或金锗(AuGe)合金形成；

所述共晶层的所述第一表面用于装配半导体芯片在其上。

2.权利要求1的微电路封装体，其中延展材料层为银、铜、或银和铜的合金。

3.权利要求2的微电路封装体，其中延展材料层被电镀到基底的第一表面上。

4.权利要求2的微电路封装体，其中延展材料层通过镀、包覆、蒸发或溅射而施用到基底的第一表面上。

5.权利要求2的微电路封装体，其中延展材料层的硬度为小于80努普，厚度为100-1000微英寸。

6.权利要求5的微电路封装体，其中阻隔层为镍或镍钴。

7.权利要求5的微电路封装体，其中共晶层是共晶温度为250℃或更高的焊料。

8.权利要求5的微电路封装体，其中基底为铜锆合金。

9.权利要求5的微电路封装体，其中基底的硬度大于80努普。

10.权利要求5的微电路封装体，其中金层的厚度为30-50微英寸。

11.权利要求1的微电路封装体，该封装体还具有附着的介电材料，其CTE为12-25ppm/℃。

12.权利要求11的微电路封装体，其中介电材料为高温聚合物材料，所述聚合物材料的组成包括选自以下的化学基团：氢化奎宁(HQ)、4，4-双酚(BP)、双(4-羟基苯基醚)(POP)、对苯二甲酸(TPA)、2，6-萘二甲酸(NPA)、4，4-苯甲酸(BB)、4-羟基苯甲酸(HBA)、6-羟基-2-萘甲酸(HNA)。

13.权利要求1的微电路封装体，其中基底是铜或铜合金。

14.权利要求13的微电路封装体，其中基底厚度是0.040-0.060英寸。

15.权利要求1的微电路封装体，其中基底是硬度大于80努普的铜或铜合金。

16.权利要求15的微电路封装体，其中基底硬度为85-100努普。

17.一种微电路封装体，其包括：

具有第一表面的基底，所述基底由铜、铜合金、银或银合金形成；

具有第一表面和第二表面的延展材料层，所述层的第一表面附着到基底的第一表面上；

具有第一表面和第二表面的阻隔层，阻隔层的第一表面附着到延展材料层的第二表面上；

具有第一表面和第二表面的金层，金层的第一表面附着到阻隔层的第二表面上；

具有第一表面和第二表面的共晶层，共晶层的第一表面附着到金层的第二表面上，所述共晶层由选自以下的无铅材料形成：锡银铜(SnAgCu)合金、锡银(SnAg)合金、锑锡(SbSn)合金、锡锌(SnZn)合金、锡铟(SnIn)合金和铋(Bi)；

所述共晶层的所述第一表面用于装配半导体芯片在其上。

18.权利要求17的微电路封装体，其还包括至少一个与所述共晶层的所述第二表面装配的半导体芯片。

19.权利要求1的微电路封装体，其还包括至少一个与所述共晶层的所述第二表面装配的半导体芯片。

20.权利要求5的微电路封装体，其中延展材料层的厚度为100-500微英寸。

21.权利要求9的微电路封装体，其中基底的硬度大于85-100努普。