[发明专利]工艺、设备和器件

说明书

技术领域

本发明涉及一种工艺和一种设备以及一种器件。本申请要求于2006 年12月1日递交的美国专利申请11/607,098的优先权，通过引用将该专 利申请的全文合并于此。

背景技术

光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上，通常是衬底的目标部分上 的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路(IC)的制造中。在这种情 况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成在所述IC 的单层上待形成的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如，硅晶片) 上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。通常，图 案的转移是通过把图案成像到提供到衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层 上进行的。通常，单独的衬底将包含被连续形成图案的相邻目标部分的网 络。公知的光刻设备包括：所谓步进机，在所述步进机中，通过将全部图 案一次曝光到所述目标部分上来辐射每一个目标部分；以及所谓扫描器， 在所述扫描器中，通过辐射束沿给定方向(“扫描”方向)扫描所述图案、 同时沿与该方向平行或反向平行的方向同步地扫描所述衬底来辐射每一 个目标部分。也可能通过将图案压印(imprinting)到衬底上的方式从图案 形成装置将图案转移到衬底上。

通常，掩模是通过电子束光刻术制造的，通过控制电子束对掩模上的 光敏感层的曝光(e-束写入工艺)，在掩模的光敏感层上形成所需的掩模图 案。在光敏感层中的图案随后被转移到掩模图案层，掩模图案层通常是配 置在透明掩模基层上的金属层。

已经知道，由于光刻工艺，所形成的掩模图案层会出现一些变形或缺 陷。通常，缺陷的原因是例如应力引起的(掩模图案层的)变形，e-束写 入工艺过程中加热引起的变形或由放置在掩模上的薄膜引起的变形。

IC的形成涉及在目标部分上形成彼此重叠的大量的图案。彼此重叠的 图案通常已经用分别在不同掩模上的不同掩模图案形成。每个掩模图案具 有其自身的变形或缺陷。在将掩模图案转移到目标部分上的过程中，这些 变形将会随着掩模图案被转移到形成在目标部分上的图案中。因而，目标 部分上的重叠图案通常与导致在目标部分内的重叠误差的不同变形有关。 这种重叠误差常常被称为内场重叠误差。

发明内容

本发明旨在提供一种设备和一种工艺，其能够减少或校正掩模图案变 形或缺陷对曝光图案的变形的贡献。

根据本发明的一方面，提供一种用于在衬底的目标场上形成交叠图案 的工艺，包括：

在所述交叠图案之间提供重叠误差，所提供的重叠误差对应根据所述 工艺的模型的至少一个工艺参数的每一个的建议值控制所述工艺；

通过将所述模型与包括所提供的重叠误差和所述至少一个工艺参数 的每一个的建议值的数据匹配，为对应最小重叠误差的所述至少一个工艺 参数的每一个确定一个值；

形成交叠图案，以此根据所述至少一个工艺参数的每一个的所确定的 值控制所述工艺；

其特征在于：

确定局部残余重叠误差；以及通过根据所述至少一个工艺参数的每一 个的第一确定值形成交叠图案中的一个图案的第一部分和根据所述至少 一个工艺参数的每一个的第二确定值形成交叠图案中的一个图案的第二 部分，确定在照射期间将作为动态校正被应用的内场校正，其中所述第一 确定值与所述第二确定值不同。

根据本发明的一方面，提供一种设备，其配置成通过将用于在衬底上 形成交叠图案的工艺的模型与包括工艺参数的建议值和交叠图案之间的 估计重叠误差的数据匹配，确定所述工艺的所述工艺参数的值，所述估计 重叠误差对应于根据工艺参数的建议值对所述工艺的控制，因而所述工艺 参数的所述确定的值对应于最小重叠误差；其特征在于：

所述设备配置成确定局部残余重叠误差；以及通过确定用于在所述目 标场的第一区域内形成所述交叠图案中的一个图案的第一部分的所述工 艺参数的第一值和用于形成所述交叠图案中的一个图案的第二部分的所 述工艺参数的第二值，确定在照射期间将作为动态校正被应用的内场校 正，其中所述第一值与所述第二值不同。

根据本发明的一方面，提供一种用于在衬底上形成几个交叠图案的第 一图案的设备，其包括用以保持衬底的衬底台，并包括：

形成装置，用以在目标场的第一区域形成第一图案的第一部分并在目 标场的第二区域形成第一图案的第二部分，其中所述第一部分与所述第二 部分不同，所述第一区域与所述第二区域；