[发明专利]可直接光限定的聚合物组合物及其方法无效
申请号: | 200780050794.0 | 申请日: | 2007-12-06 |
公开(公告)号: | CN101622289A | 公开(公告)日: | 2010-01-06 |
发明(设计)人: | E·埃尔切;A·贝尔;B·纳普;W·戴门纳;S·贾亚拉曼;J·金;H·额;R·R·普森科威拉科姆;R·拉维基兰;L·F·罗兹;R·希克;W·张;X·吴;E·武内 | 申请(专利权)人: | 普罗米鲁斯有限责任公司 |
主分类号: | C08F232/08 | 分类号: | C08F232/08;C08G61/04;G03F7/00 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙 淳 |
地址: | 美国俄*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 直接 限定 聚合物 组合 及其 方法 | ||
1.一种聚合物,包括由式I表示的第一类型和第二类型的重复单 元:
其中X选自-CH2-;m是0至5的整数;并且其中对于第一类型重 复单元,R1、R2、R3和R4中之一是含有由式II表示的基团的马来酰亚 胺:
其中A是选自亚甲基、直链或支链C2至C6烃基、卤代烃基或全 卤烃基、或取代或未取代的C5至C12环状或多环烃基、卤代烃基或全 卤烃基的连接基,并且R5和R6各自独立地选自H、甲基、乙基或正丙 基,并且其中R1、R2、R3和R4中的其他选自H、直链或支链C1至C25烃基、卤代烃基或全卤烃基;
并且其中对于第二类型重复单元,R1、R2、R3和R4中之一是由式 (D)表示的受阻芳香基
其中A2是选自亚甲基、直链或支链C2至C6烃基、卤代烃基或全 卤烃基、或取代或未取代的C5至C12环状或多环烃基、卤代烃基或全 卤烃基、C2至C12酯、C1至C12酰胺、C1至C12硫化物、或者其组合的 连接基;每个Y独立地为例如OH和SH的官能团;y是1至大约3的 整数;每个R20独立地为C1至C12烷基(直链或支链的)或环烷基(取 代或未取代的);并且x是1至大约4的整数;
C8或更大的烷基;
C4或更大的卤代烃基或全卤烃基;
C7或更大的芳烷基;或
杂原子烃基或卤代烃基,其条件是杂原子烃基或卤代烃基不包括 环氧基。
2.根据权利要求1所述的聚合物,其中R5和R6的至少一个是甲 基。
3.根据权利要求1所述的聚合物,进一步包括第二类型重复单元, 其中X选自-CH2-、-CH2-CH2-或-O-;m是0至5的整数;并且R1、R2、 R3和R4中的至少一个选自直链或支链的C1至C25烃基、卤代烃基或全 卤烃基,其中这些烃基、卤代烃基或全卤烃基包括一个或多个选自O、 N和Si的杂原子,或R1、R2、R3和R4中的至少一个选自直链或支链 的C1至C25烃基、卤代烃基或全卤烃基,并且R1、R2、R3和R4中的 其他是H。
4.根据权利要求3所述的聚合物,其中对于第二类型重复单元, X是-CH2-;m是0;并且R1、R2、R3和R4中的至少一个选自芳烷基 侧基或直链C1至C25烃基、卤代烃基、全卤烃基,并且R1、R2、R3和 R4中的其他是H。
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