[发明专利]光伏装置的制造方法有效
申请号: | 200780052695.6 | 申请日: | 2007-12-20 |
公开(公告)号: | CN101652866A | 公开(公告)日: | 2010-02-17 |
发明(设计)人: | 西村邦彦;松野繁 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
主分类号: | H01L31/04 | 分类号: | H01L31/04 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 李今子 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 装置 制造 方法 | ||
1.一种光伏装置的制造方法,其特征在于,包括:
在硅基板上形成具有耐蚀刻性的膜的工序;
通过照射激光光束,在上述具有耐蚀刻性的膜上打开多个微细孔 而使基底的硅基板表面露出的工序;以及
对上述硅基板所露出的表面进行蚀刻的工序,
在使上述硅基板表面露出的工序中,在上述微细孔的底部露出的 上述硅基板的表面利用激光光束形成微细凹陷。
2.根据权利要求1所述的光伏装置的制造方法,其特征在于,
上述激光光束是焦点深度被调整为10μm以上的激光光束。
3.根据权利要求1所述的光伏装置的制造方法,其特征在于,
上述微细孔的直径小于邻接的微细孔彼此的中心间的距离。
4.根据权利要求1所述的光伏装置的制造方法,其特征在于,
将上述具有耐蚀刻性的膜上打开的多个微细孔设置在四边格子 点上。
5.根据权利要求1所述的光伏装置的制造方法,其特征在于,
将上述具有耐蚀刻性的膜上打开的多个微细孔设置在三角格子 点上。
6.根据权利要求1所述的光伏装置的制造方法,其特征在于,
在使上述硅基板表面露出的工序中,经由具有与上述多个微细孔 对应的光透射部和光遮蔽部的遮光掩模来照射上述激光光束,由此同 时打开上述多个微细孔。
7.根据权利要求1所述的光伏装置的制造方法,其特征在于,
在使上述硅基板表面露出的工序中,通过电流镜使上述激光光束 在上述膜上进行扫描,由此打开上述多个微细孔。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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