[发明专利]接触器、探针卡及接触器的安装方法无效
申请号: | 200780053526.4 | 申请日: | 2007-07-24 |
公开(公告)号: | CN101688886A | 公开(公告)日: | 2010-03-31 |
发明(设计)人: | 北爪秀宪;浅野宏二 | 申请(专利权)人: | 株式会社爱德万测试 |
主分类号: | G01R1/073 | 分类号: | G01R1/073 |
代理公司: | 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 | 代理人: | 高占元 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 接触器 探针 安装 方法 | ||
技术领域
[0001]本发明涉及对半导体集成电路元件等电子元件(以下也代表性地称为IC器件)测试时,用于在IC器件与电子元件测试装置之间确立电连接而与在IC器件的输入输出端子电接触的接触器、具备所述接触器的探针卡及接触器的安装方法。
背景技术
[0002]半导体集成电路元件大量制作到硅晶片等半导体晶片上后,经过切割、接合及封装等诸多工序而成为电子元件。上述IC器件在发货前进行工作测试,测试在晶片和成品状态下均可实施。
[0003]对晶片状态下的IC器件测试时,作为传统上公知的在IC器件与电子元件测试装置之间确立电连接的接触器(以下也简称为硅指状接触器),采用MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)方法制成(例如,参照专利文献1~3)。该硅指状接触器具备:与IC器件的输入输出端子电连接的导电部、主要面上设有导电部的梁部和以悬臂支承方式支承梁部的台座部。
[0004]这样的硅指状接触器在台座部设有定位用标记,基于该定位用标记将接触器相对探针卡的基板定位、安装。该定位用标记设在台座部的两端部分(以下简称为“标记形成区域”)。该标记形成区域是为形成定位用标记的专用领域,不能用作支承梁部。因此,在基板上相邻设置多个硅指状接触器时,存在梁部安装密度低下的问题。
[0005]专利文献1:日本特开2000-249722号公报
专利文献2:日本特开2001-159642号公报
专利文献3:国际公开第03/071289号小册子
发明内容
本发明要解决的技术问题
[0006]本发明要解决的技术问题是,提供一种可提高探针卡的梁部安装密度的接触器、具备所述接触器的探针卡以及接触器的安装方法。
为了解决技术问题所采用的方法
[0007](1)为了达成上述目的,依据本发明的第1观点,提供一种接触器,其为了在对被测试电子元件测试时确立所述被测试电子元件与电子元件测试装置间的电连接而与所述被测试电子元件的输入输出端子接触,具备:与所述被测试电子元件的所述输入输出端子电连接的导电部、主要面上设有所述导电部的梁部和以悬臂支承方式支承所述梁部的台座部;所述台座部具有支承所述梁部的支承区域和设有定位用第1标记的标记形成区域,在所述支承区域和所述标记形成区域之间设有与所述台座部其它部分相比强度弱的脆弱部(参照权利要求1)。
[0008]对上述发明无特别限定,优选地,所述脆弱部包括在所述支承区域和所述标记形成区域之间设有的切口、槽或多个通孔(参照权利要求2)。
[0009]对上述发明无特别限定,优选地,所述台座部的所述标记形成区域比所述支承区域薄(参照权利要求3)。
[0010]对上述发明无特别限定,优选地,所述台座部以悬臂支承方式统一支承实质上平行排列的多个所述梁部,在所述台座部上,所述标记形成区域沿所述多个梁部的排列方向布置在所述支承区域的两端(参照权利要求4)。
[0011]对上述发明无特别限定,优选地,所述脆弱部沿与所述多个梁部的排列方向实质上垂直的方向设置(参照权利要求5)。
[0012](2)为了达成上述目的,依据本发明的第2观点,提供一种探针卡,在对被测试电子元件测试时用于在所述被测试电子元件与电子元件测试装置之间确立电连接,具备:上述的任意一种接触器和安装所述接触器的基板;所述标记形成区域以所述脆弱部为边界从所述台座部上被切下(参照权利要求6)。
[0013](3)为了达成上述目的,依据本发明的第3观点,提供一种接触器的制造方法,作为上述任意一种接触器的制造方法,具备:将所述接触器安装到所述基板的安装步骤和将所述标记形成区域从所述台座部切下的切取步骤(参照权利要求7)。
[0014]对上述发明无特别限定,优选地,在所述切取步骤中,通过压缩或拉伸所述标记形成区域将所述标记形成区域从所述台座部切下(参照权利要求8)。
[0015]对上述发明无特别限定,优选地,所述安装步骤包括:基于所述基板上形成的第2标记和所述标记形成区域上形成的所述第1标记确定所述接触器相对所述基板位置的定位步骤和将所述接触器固定于所述基板的固定步骤(参照权利要求9)。
[0016]对上述发明无特别限定,优选地,还具备采用DRIE(Deep ReactiveIon Etching)法蚀刻所述台座部的硅层在所述接触器上形成所述脆弱部的步骤(参照权利要求10)。
发明效果
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