[发明专利]弹性波元件、双工器、通信模块、以及通信装置

说明书

技术领域

本发明涉及安装在便携电话终端、PHS(Personal Handy-phone System，个人手持式电话系统)终端、无线LAN系统等移动体通信设备 (高频无线通信设备)的弹性波元件。另外，涉及具有上述的弹性波元件 的双工器、通信模块、以及通信装置。

背景技术

作为应用弹性波的装置的其中一种，以往人们知道弹性表面波 (SAW：Surface Acoustic Wave)设备。该SAW设备例如使用对在便携电 话终端中一般使用的45MHz～2GHz的频带的无线信号进行处理的各种电 路。这样的电路例如被使用在发送带通滤波器、接收带通滤波器、本振滤 波器、天线共用器、IF滤波器、FM调制器等。

如上所述的便携电话终端大多在室内或室外等各种温度环境下被使 用。因此，SAW设备需要具有能够在各种温度环境下稳定地进行动作的 特性。在专利文献1中公开了为了提高SAW设备的温度特性而在压电衬 底上形成与压电衬底温度特性的码不同的氧化硅膜的弹性波元件。但是， 在专利文献1所公开的结构中存在弹性波元件大型化的问题。

在专利文献2、3和非专利文献1中公开了利用勒夫(love)波的弹性 波元件和使用沿不同介质的边界传送的边界波的弹性边界波元件。在任一 结构中，都能实现温度特性的改善和弹性波元件的小型化。

图13A是专利文献2所公开的弹性波元件的平面图。图13B为图13A 中的Y-Y部分的截面。如图13A和图13B所示，在弹性波元件的压电衬 底104(第一介质)上形成具有电极的谐振器102。谐振器102包括梳形 电极102a、反射器102b和端子部102c。电介质层105(第二介质)被形 成为在压电衬底104上覆盖梳齿型电极102a和反射器102b，端子部102c 被形成为在压电衬底104上露出。电介质层105的厚度比构成谐振器102 的电极更厚，在将弹性表面波的波长设为λ时，大约是0.3×λ左右。

图14A是专利文献3所公开的弹性边界波元件的平面图。图14B是图 14A的Y-Y部分的截面图。在图14A和图14B中，对与图13A和图13B 相同的部分标注相同标号而省略说明。图14A和图14B所示的结构是在图 13A和图13B所示的电介质层105上形成第三介质106。

本发明的发明人对图13A和图13B所示的弹性波元件或者图14A和 图14B所示的弹性边界波元件的可靠性进行评价。下面，作为一个例子对 图14A和图14B所示的弹性边界波的可靠性评价进行说明。

图15A是在试制中使用的弹性边界波元件(滤波器)的构造。图15B 为图15A中的X-X部分的截面。在图示的弹性边界波元件中，在压电衬 底(LiNbO₃等)104上形成由电极构成的谐振器102和供电布线部103、 电介质层105(第二介质)以及第三介质106。接着，对图15A和图15B 所示的弹性边界波元件的制造方法进行说明。

首先，如图16A所示，在压电衬底104上形成谐振器102。谐振器 102包括与连接方式对应的串联谐振器112和并联谐振器122。考虑通过 特性，由Cu形成梳齿型电极102a和反射器102b。

如图16B所示，接着，形成供电布线部103，该供电布线部103包括 电连接各个谐振器102的电极。供电布线部103由Cu形成以实现电阻抗 的降低。供电布线部103中的电极的厚度比构成谐振器102的电极的厚度 厚，并降低了电阻抗。

接着，如图16C所示，由第二介质105覆盖谐振器102。第二介质 105使用氧化硅(SiO₂)。另外，第二介质105仅覆盖谐振器102，考虑到 散热而没有覆盖供电布线部103。SiO₂的成膜使用了化学气相沉积法 (CVD法。CVD：Chemical Vapor Deposition)。第二介质105形成后， 多余的SiO₂被实施干蚀刻而去除。