[发明专利]一种制造有机电子器件或者光电器件的方法有效
申请号: | 200780100449.3 | 申请日: | 2007-08-28 |
公开(公告)号: | CN101849281A | 公开(公告)日: | 2010-09-29 |
发明(设计)人: | 刘凤仪;贾伦特·杜孟德;庄秀菱;山本恭子;雨宫聪 | 申请(专利权)人: | 科技研究局;住友化学株式会社 |
主分类号: | H01L21/208 | 分类号: | H01L21/208;H01L33/00;H01L21/302;H01L51/56 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 余朦;王艳春 |
地址: | 新加坡*** | 国省代码: | 新加坡;SG |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 制造 有机 电子器件 或者 光电 器件 方法 | ||
1.一种制造有机电子器件或者光电器件的方法,所述方法包括以下步骤:
(a)提供其表面形成有多个堤部的基底,在所述多个堤部之间形成有交替的井孔形成物,所述堤部的表面上形成有一定尺寸的压印形成物,所述压印形成物为所述堤部的表面提供了与所述井孔表面不同的选定润湿特性;以及
(b)将有机溶液沉积到所述井孔形成物中,其中所述堤部的润湿特性使得任何沉积在其上的有机溶液至少被部分排斥。
2.如权利要求1所述的方法,其中所述压印形成物通常是长形的,每个压印形成物围绕纵轴延伸。
3.如权利要求2所述的方法,其中所述压印形成物包括围绕彼此平行的多个纵轴延伸的第一组压印形成物,以及围绕彼此平行的多个纵轴延伸的第二组压印形成物。
4.如权利要求3所述的方法,其中所述第一组压印形成物和所述第二组压印形成物彼此具有不同的宽度尺寸。
5.如权利要求3所述的方法,其中所述第一压印形成物和第二压印形成物的宽度是微米级的或者是纳米级的。
6.如权利要求3所述的方法,其中所述第一压印形成物的宽度在10微米到1000微米的范围中选择。
7.如权利要求3所述的方法,其中所述第二压印形成物的宽度在0.1微米到100微米的范围中选择。
8.如权利要求1所述的方法,其中所述沉积步骤(b)包括用喷墨印刷、旋涂、浸涂、滚涂、喷涂、刮涂、苯胺印刷和筛网印刷中的至少一种进行沉积。
9.如权利要求1所述的方法,其中所述基底是从包括玻璃、陶瓷、硅、石英、金属、和塑料的组中选择的材料。
10.如权利要求1所述的方法,其中所述基底包括电极。
11.如权利要求1所述的方法,其中所述堤部由聚合物制造。
12.如权利要求11所述的方法,其中所述聚合物包括热塑性聚合物。
13.如权利要求12所述的方法,其中所述热塑性聚合物从聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯、聚苯乙烯、环烯聚合物、聚酰亚胺及它们的组合物所组成的组中进行选择。
14.如权利要求11所述的方法,其中所述聚合物包括光致抗蚀剂。
15.如权利要求1所述的方法,其中所述有机溶液包括从光发射有机分子、具有空穴传输特性的传导聚合物、具有电子传输特性的有机材料、光发射聚合物、光吸收聚合物、以及它们组合物所组成的组中选择的有机化合物。
16.如权利要求15所述的方法,其中所述有机化合物所溶解的溶剂选自由水、苯甲醚、甲苯、二甲苯、苯、1,3,5-三甲基苯、氯仿、二氯甲、环己基苯酚、乙醇、四氢化萘、四氢呋喃、异丙醇及其混合物所组成的组。
17.如权利要求16所述的方法,包括步骤:c)蒸发已经沉积在所述基底表面上的所述有机溶液的溶剂。
18.如权利要求17所述的方法,包括重复沉积步骤(b)和后续蒸发步骤(c)的步骤,以在所述基底表面沉积多层有机化合物。
19.如权利要求1所述的方法,包括从所述基底基本去除杂质的步骤。
20.如权利要求19所述的方法,其中从所述基底去除杂质的步骤包括采用等离子体处理去除所述杂质。
21.一种制造基底的方法,包括以下步骤:
a)提供其表面形成有聚合物层的基底;以及
b)对所述聚合物层使用至少一个模具,以在其上形成多个堤部、以及所述堤部之间形成的交替的井孔形成物,所述至少一个模具上具有压印形成表面,以在所述堤部表面形成压印形成物,所述压印形成物为所述堤部的表面提供与所述井孔表面不同的选定的润湿特性。
22.如权利要求21所述的方法,其中所述使用至少一个模具的步骤(b)包括以下步骤:
b1)对所述聚合物层使用第一模具,以在其上形成所述堤部、以及所述堤部之间形成的交替的井孔形成物;以及
b2)在所述步骤(b1)后对所述形成的堤部使用第二模具,以在所述堤部的表面上形成所述压印形成物。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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