[发明专利]半导体集成电路装置无效
申请号: | 200780100951.4 | 申请日: | 2007-10-09 |
公开(公告)号: | CN101816067A | 公开(公告)日: | 2010-08-25 |
发明(设计)人: | 淋靖英 | 申请(专利权)人: | 富士通株式会社 |
主分类号: | H01L21/822 | 分类号: | H01L21/822;H01L27/04 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 李伟;陈桂兰 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 集成电路 装置 | ||
1.一种半导体集成电路装置,
包含多个各个都由逻辑电路的集合构成的单位,
各个上述由逻辑电路的集合构成的单位,具有彼此共同的安装设计的内容,
将每个上述由逻辑电路的集合构成的单位的纵向和横向的长度分别设为用于从外部对该半导体集成电路装置供给电源的电源端子间的间隔的偶数倍。
2.根据权利要求1所述的半导体集成电路装置,其中,
在每个上述由逻辑电路的集合构成的单位中,设置了与其对应的与上述电源端子连接的用于供给电源的电源图案,
使上述电源端子之中的偶数个属于每个上述由逻辑电路的集合构成的单位。
3.根据权利要求1所述的半导体集成电路装置,其中,
每个上述由逻辑电路的集合构成的单位中构成了高速缓冲存储器。
4.根据权利要求3所述的半导体集成电路装置,其中,
在上述高速缓冲存储器的内部包含重复图案逻辑电路、测试电路和标准单元中的至少一个电路。
5.一种半导体装置,具有等间隔配置的多个凸块和高速缓冲存储器,其特征在于,
将上述高速缓冲存储器的横向方向的宽度和纵向方向的宽度设为相邻的凸块彼此的间隔的偶数倍。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士通株式会社,未经富士通株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200780100951.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:隔膜滤板模压成型装置及成型方法
- 下一篇:神经细胞死亡抑制剂
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造