[发明专利]一具有标示结构之封装及其方法无效
| 申请号： | 200810000026.0 | 申请日： | 2008-01-03 |
| 公开（公告）号： | CN101232002A | 公开（公告）日： | 2008-07-30 |
| 发明（设计）人： | 杨文焜 | 申请（专利权）人： | 育霈科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/552 | 分类号： | H01L23/552;H01L23/48;H01L23/36;H01L21/50;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京挺立专利事务所 | 代理人： | 叶树明 |
| 地址： | 中国台湾新竹县湖*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 标示 结构 封装 及其 方法 | ||
1.一半导体组件封装，其特征在于：所述半导体组件封装，具有一标示结构，包含：
一基板其具有一晶粒容纳凹槽于其上表面，且其结构中具有一通孔结构形成贯通，且具有一终端接点形成于此基板之下表面，以及导电线路形成于此基板之下表面；
一晶粒黏着于此晶粒容纳凹槽且具有一复数个焊垫于其上；
一第一介电层形成于此晶粒与此基板上，且露出此焊垫与此通孔之表面；
一重布层形成于此第一介电层以耦合此焊垫与此通孔结构；
一第二介电层形成于此第一介电层与此重布层线路；且一金属标示层形成于此第二介电层。
2.根据权利要求1所述的半导体组件封装，其特征在于：进一步包含复数个焊料凸块形成于此终端接点上，其中此复数个焊料凸块可藉由此通孔结构，作为此焊垫间电性传导。
3.根据权利要求1所述的半导体组件封装，其特征在于：其中可包含一种子金属层溅镀于此第一与第二介电层之上。
4.根据权利要求1所述的半导体组件封装，其特征在于：进一步包含一散热层于此金属标示层上。
5.根据权利要求1所述的半导体组件封装，其特征在于：其中此金属标示层之材料其包含金属以保护此封装不受电磁辐射干扰。
6.根据权利要求1所述的半导体组件封装，其特征在于：进一步可包含一讯号接地连接至此金属标示层，以作为接地屏蔽与散热。
7.一制作半导体组件封装之方法，其特征在于：所述制作半导体组件封装之方法，具有一标示结构之方法，其包含：制备一具有晶粒容纳凹槽之基板，其形成于基板之上表面，以及一通孔结构通过此基板，其中具有一终端接点于通孔结构之下方，且此基板包含一导电线路形成于此基板之下表面；
黏着一晶粒于此容纳凹槽中，其中晶粒上具有复数个焊垫；
形成一第一介电层于此基板上且此晶粒露出焊垫与通孔结构；
形成一重布层于此第一介电层之上，以连结焊垫与此通孔结构；
形成一第二介电层于此重布层之上；
形成一金属标示层于此第二介电层之上。
8.根据权利要求7所述的制作半导体组件封装之方法，其特征在于：进一步可包含一涂布一散热材料于此金属标示层之步骤。
9.根据权利要求7所述的制作半导体组件封装之方法，其特征在于：进一步可包含一讯号接地连接至此金属标示层之步骤。
10.根据权利要求7所述的制作半导体组件封装之方法，其特征在于：其中可包含一种子金属层溅镀于此第一与第二介电层上之步骤。
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