[发明专利]固态成像装置、电子模块和电子设备无效
| 申请号： | 200810000472.1 | 申请日： | 2008-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN101221968A | 公开（公告）日： | 2008-07-16 |
| 发明（设计）人： | 丸山康 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 董方源 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 固态 成像 装置 电子 模块 电子设备 | ||
1.一种固态成像装置，包括成像区域，所述成像区域由以二维矩阵方式排列的多个像素形成，所述固态成像装置包括：
光电转换部分，包括设置在半导体衬底上的电荷积累区域；
读取晶体管，用于从所述光电转换部分读取电荷；以及
吸杂位置，用于将所述半导体衬底内的金属杂质至少与所述光电转换部分分离，其中，
所述光电转换部分设置在所述半导体衬底的表面侧，所述吸杂位置设置在背离所述半导体衬底的背面侧。
2.根据权利要求1所述的固态成像装置，其中，
所述光电转换部分设置在所述半导体衬底的所述表面侧，所述读取晶体管设置在背离所述半导体衬底的所述背面侧。
3.根据权利要求1所述的固态成像装置，其中，
所述吸杂位置通过外延生长来沉积。
4.根据权利要求1所述的固态成像装置，其中，
所述吸杂位置被施加了偏置电压。
5.根据权利要求1所属的固态成像装置，其中，
所述吸杂位置设置在所述成像区域的外周边部分。
6.一种包括固态成像装置的电子模块，所述固态成像装置具有成像区域，所述成像区域由以二维矩阵方式排列的多个像素形成，所述固态成像装置包括：
光电转换部分，包括设置在半导体衬底上的电荷积累区域；
读取晶体管，用于从所述光电转换部分读取电荷；以及
吸杂位置，用于将所述半导体衬底内的金属杂质至少与所述光电转换部分分离，其中，
所述光电转换部分设置在所述半导体衬底的表面侧，所述吸杂位置设置在背离所述半导体衬底的背面侧。
7.一种包括固态成像装置的电子设备，所述固态成像装置具有成像区域，所述成像区域由以二维矩阵方式排列的多个像素形成，所述固态成像装置包括：
光电转换部分，包括设置在半导体衬底上的电荷积累区域；
读取晶体管，用于从所述光电转换部分读取电荷；以及
吸杂位置，用于将所述半导体衬底内的金属杂质至少与所述光电转换部分分离，其中，
所述光电转换部分设置在所述半导体衬底的表面侧，所述吸杂位置设置在背离所述半导体衬底的背面侧。
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H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
