[发明专利]一种背接触太阳能电池的制备技术

权利要求书

1.一种背接触晶体硅太阳能电池的制作方法，其步骤包括：

(1)采用厚度为100～500μm，电阻率为0.2～500Ωcm的P型或N型晶体硅作为衬底；

(2)用常规方法在所述硅衬底正表面作表面织构化；然后作常规清洗；

(3)在所述硅衬底背表面，淀积掺杂源；淀积方法包括喷涂、印刷以及其它常规的淀积方法；

(4)利用激光对欲形成掺杂区的区域进行加热形成掺杂区；

(6)采用常规的丝网印刷、真空蒸发或溅射方法，在所述掺杂区上制备基区或发射区金属电极。

2.如权利要求1所述的一种背接触晶体硅太阳能电池的制作方法，其特征在于：所述掺杂源为含磷、或锑、或硼、或铝、或镓等III族或V族掺杂剂的化合物或混合物。

3.如权利要求1所述的一种背接触晶体硅太阳能电池的制作方法，其特征在于：形成掺杂区的方法为激光加热。激光的波长为400～1200nm，加热温度850～1400℃。

4.如权利要求1、3所述的一种背接触晶体硅太阳能电池的制作方法，其特征在于：所述掺杂区为N型或P型，按照与衬底导电类型相同或相反，分别作为背接触电池的基区接触区或发射区。