[发明专利]液晶显示单元结构及其制造方法

权利要求书

1.一种制造一液晶显示单元结构的方法，其特征在于，包含：

于一基板上形成一图案化第一金属层，其包含一栅极导线、一第一数据导线段及一下栅极垫；

在该基板上依序形成一介电层、一半导体层及一光刻胶层；

使用半调光掩膜进行微影程序；

移除部分该光刻胶层，形成多个第一开口以曝露该第一数据导线段两端上方的该半导体层表面，及至少形成一第二开口以曝露该下栅极垫上方的该半导体层表面；

移除该些第一开口及该第二开口内的该半导体层及/或其下的该介电层；

移除部份该光刻胶层，使残余的该光刻胶层至少位于该栅极导线上方；

移除未被该光刻胶层覆盖的该半导体层；

移除剩余的该光刻胶层，以形成一图案化介电层及一图案化半导体层；

形成一图案化第二金属层于该图案化介电层及该图案化半导体层上，其包含一共享电极线、一第二数据导线段及一上栅极垫，其中，该第二数据导线段通过该些第一开口与该第一数据导线段呈电性连接，该上栅极垫通过该第二开口与该下栅极垫呈电性连接；

形成一图案化保护层；以及

形成一图案化透明导电层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该形成该图案化保护层的步骤包含：

形成一保护层；以及

至少移除该第二开口上方的该保护层以暴露该第二开口内的该上栅极垫。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该图案化第二金属层还包含位于该栅极导线上方的一源/漏极电极。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该图案化半导体层包含一非晶硅层及一N型离子重掺杂非晶硅层。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该保护层包括一氮化硅层。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该透明导电层包括一氧化铟锡层。

7.一种制造液晶显示单元结构的方法，其特征在于，包含：

于一基板上依序形成一第一数据导线段及覆盖该第一数据导线段的一图案化介电层，该图案化介电层具有多个第一开口位于该第一数据导线段两端；

形成一图案化半导体层于该数据导线上方；

形成一第二数据导线段以及一共享电极线于该图案化半导体层上，该第二数据导线段通过该些第一开口与该第一数据导线段呈电性连接；

形成一图案化保护层；以及

形成一图案化透明导电层。

8.根据权利要求7的方法，其特征在于，该图案化半导体层包含一图案化第一半导体层及其上的图案化第二半导体层。

9.根据权利要求8的方法，其特征在于，形成该图案化半导体层的步骤包含：

形成一第一半导体层；

形成一第二半导体层于该第一半导体层上；以及

进行一微影及蚀刻程序以同时将该第一半导体层及该第二半导体层图案化。

10.根据权利要求8的方法，其特征在于，形成该图案化半导体层的步骤包含：

形成一图案化第一半导体层；以及

形成一图案化第二半导体层于该图案化第一半导体层上。

11.一种制造液晶显示单元结构的方法，其特征在于，包含：

于一基板上依序形成一第一数据导线段及覆盖该数据导线的一介电层；

形成一第一半导体层；

形成一蚀刻停止层于该第一数据导线段上方的该第一半导体层上；

形成一第二半导体层于该第一半导体层及该蚀刻停止层上；

蚀刻该介电层、该第一半导体层及该第二半导体层，以于该介电层上定义多个第一开口，以暴露该第一数据导线段的两端，并图案化该介电层、该第一半导体层及该第二半导体层；

形成一第二数据导线段以及一共享电极线于该图案化第二半导体层上，该第二数据导线段通过该些第一开口与该第一数据导线段呈电性连接；

形成一图案化保护层；以及

形成一图案化透明导电层。