[发明专利]具有反射式图案结构的发光装置

权利要求书

1.一种具有反射式图案结构的发光装置，其特征在于，所述发光装置包含：

基板，其上具有图案结构，所述图案结构包含多个凹凸结构；及

发光单元，形成于所述图案结构上，所述发光单元具有连接至所述图案结构的背光面，及位于所述背光面反侧的出光面，其中所述图案结构将所述发光单元朝向所述背光面所发出的光线反射至所述出光面。

2.如权利要求1所述的具有反射式图案结构的发光装置，其特征在于，所述的多个凹凸结构的节距小于或等于所述光线的波长的二分之一。

3.如权利要求1所述的具有反射式图案结构的发光装置，其特征在于，所述的多个凹凸结构被配置成二维阵列而具有极化选择性反射的功能，并选择性反射不同极化方向的所述光线。

4.如权利要求1所述的具有反射式图案结构的发光装置，其特征在于，所述的多个凹凸结构被配置成二维阵列，所述二维阵列具有X方向及Y方向，所述的多个凹凸结构在所述X方向与所述Y方向具有不同的节距。

5.如权利要求1所述的具有反射式图案结构的发光装置，其特征在于，所述的多个所述的多个凹凸结构被配置成二维阵列，所述二维阵列具有X方向及Y方向，所述的多个凹凸结构在所述X方向与所述Y方向具有不同的责任周期。

6.如权利要求1所述的具有反射式图案结构的发光装置，其特征在于，所述的多个凹凸结构被配置成一维阵列而具有极化选择性反射的功能，并选择性反射不同极化方向的所述光线。

7.如权利要求1所述的具有反射式图案结构的发光装置，其特征在于，所述的多个凹凸结构的节距小于一微米。

8.如权利要求1所述的具有反射式图案结构的发光装置，其特征在于，所述发光单元包含氮化物半导体层，所述氮化物半导体层与所述图案结构直接接触。

9.如权利要求1所述的具有反射式图案结构的发光装置，其特征在于，所述发光单元包含：

第一型半导体层，其与所述图案结构直接接触；

发光层，位于所述第一型半导体层上，并发出所述光线；及

第二型半导体层，位于所述发光层上。

10.如权利要求1所述的具有反射式图案结构的发光装置，其特征在于，所述图案结构是一种纳米图案结构或一种由纳米图案结构与微米图案结构所组成的复合图案结构。