[发明专利]具有反射式图案结构的发光装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种发光装置，尤其涉及一种具有反射式图案结构的发光装置，图案结构可以是一种纳米图案结构或是一种由纳米图案结构与微米图案结构所组成的复合图案结构。

背景技术

目前逐渐受到青睐的发光装置包含发光二极管及激光二极管。发光二极管是一种冷光发光元件，其利用半导体材料中电子空穴结合所释放出的能量，以光的形式释出。依据使用材料的不同，其可发出不同波长的光。其所发出的光涵盖可见光与不可见光(红外光或是紫外光)。由于发光二极管相比较于传统灯泡发光的形式，具有省电、耐震、寿命长及闪烁速度快等优点，因此成为日常生活中不可或缺的重要元件。激光二极管则主要被应用于光通讯与光储存。

基本的发光二极管，是由基板、形成于所述基板上的缓冲层、形成于所述缓冲层上的N型半导体层、局部地覆盖N型半导体层的发光层、形成于所述发光层的P型半导体层及两分别形成于这两个半导体层上的接触电极层所构成。

传统的发光二极管的发光层的差排密度高，因而降低发光二极管的内部量子效率，进而降低其发光亮度并产生热，而使发光二极管的温度上升，从而影响发光效率。此外，发光层所发出来的光线朝向多个方向，朝着背光面发出的光线会被基板吸收，因而降低其发光亮度。

图6显示一种传统的发光装置的封装示意图。如图6所示，发光装置100被封装于反射杯110内。基于前述理由，有部分的光线会朝着从出光面102往背光面104的方向射出，因此必须提供反射杯110来将这一部分的光线反射向上，以便提高发光亮度。反射杯110对于成本的降低与体积的缩小是不利的因子。

因此，如何提供一种具有反光效果，同时能有效降低差排密度、提升发光效率及降低温升的发光装置，实为本案所要解决的问题。

发明内容

因此，本发明的一个目的是提供一种具有反射式图案结构的发光装置，可以免除装置反射杯，同时可以有效降低差排密度、提升发光效率及降低温升。

为达上述目的，本发明提供一种发光装置，其包含基板及发光单元。基板上具有图案结构，图案结构包含多个凹凸结构。发光单元形成于图案结构上，发光单元具有连接至图案结构的背光面，及位于背光面反侧的出光面。图案结构将发光单元朝向背光面所发出的光线反射至出光面。

本发明提供一种具有反射式图案结构的发光装置，可以有效地提升输出功率和出光效率，获致完美的单面出光的效果，使发光半角减小，而具有相同于缩小发光面积的功效。

附图说明

图1显示依据本发明较佳实施例的发光装置的示意图。

图2至图4显示依据本发明较佳实施例的发光装置的图案结构的数个例子。

图5A至图5E显示对应本发明较佳实施例的发光装置的制造方法的部分流程的结构图。

图6显示一种传统的发光装置的封装示意图。

附图标号：

10：基板

12：图案结构

14：凹凸结构

20：发光单元

21：第一型半导体层

22：背光面

23：发光层

24：出光面

25：第二型半导体层

30：光线

41：蓝宝石基板

42：辅助层

43：光阻图案层

44：氮化物半导体层

45：凹凸结构

46：凹槽

具体实施方式

为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。

图1显示依据本发明较佳实施例的发光装置的示意图。如图1所示，本实施例的发光装置可以是一种发光二极管装置或激光二极管装置，且包含基板10及发光单元20。发光二极管装置可以是蓝光、红光或其他波长的二极管。

基板的材料可以是由硅、碳化硅、氧化镁、砷化物(譬如是砷化镓(GaAs)、磷化铝镓铟(InGaAlP)、磷砷化镓(AlGaAs))、磷化物(譬如是磷化镓(GaP)、GaPN(氮磷化镓)、磷砷化镓(GaAsP)、磷化铟铝镓(InAlGaP))、氧化锌与蓝宝石等所组成的群组。基板10上具有图案结构12。图案结构12可以是一种纳米图案结构或是一种由纳米图案结构与微米图案结构所组成的复合图案结构。发光单元20形成于图案结构12上。发光单元20具有连接至图案结构12的背光面22，及位于背光面22反侧的出光面24。图案结构12将发光单元20朝向背光面22所发出的光线30反射至出光面24。