[发明专利]布线结构及其制造方法

权利要求书

1.一种在半导体基板上的绝缘膜上形成的多层布线的布线结构，其由以下部分构成：金属布线，将多孔绝缘膜、和设在所述多孔绝缘膜上的第2绝缘膜贯通形成，以铜为主成分；和形成于所述第2绝缘膜上的第1绝缘膜，其中，

所述第1绝缘膜和所述第2绝缘膜由相同材料形成。

2.根据权利要求1所述的布线结构，其中，构成所述第1绝缘膜和所述第2绝缘膜的所述相同材料，由以碳化硅为主成分的材料、以氮化硅为主成分的材料、和以碳氮化硅为主成分的材料中的任一种构成。

3.一种多层布线的制造方法，该多层布线层叠了多层单位布线结构，该单位布线结构具有向在形成有半导体元件的基板上的绝缘膜上形成的布线槽和通孔中填充以铜为主成分的金属布线而形成的布线和连接插头，该制造方法包括以下步骤：

形成与铜布线或铜连接插头直接接触的第1绝缘膜、和设在所述第1绝缘膜上的多孔绝缘膜的步骤；

形成设在所述多孔绝缘膜上的第2绝缘膜的步骤；

在所述第2绝缘膜和多孔绝缘膜上形成布线槽或通孔的步骤；

在由所述布线槽或通孔划分的布线结构的上面、侧面、底面上，形成含有有机物的绝缘性阻挡层的步骤；

内蚀刻所述含有有机物的绝缘性阻挡层，去除所述布线结构的上面和底面部的绝缘性阻挡层的步骤；

去除所述第1绝缘膜的步骤；和

在所述布线结构槽或通孔中埋设金属膜的步骤。

4.一种多层布线的制造方法，该多层布线层叠了多层单位布线结构，该单位布线结构具有向在形成有半导体元件的基板上的绝缘膜上形成的布线槽和通孔中填充以铜为主成分的金属布线而形成的布线和连接插头，该制造方法包括以下步骤：

在铜布线上依次层叠形成第1绝缘膜、第3绝缘膜、第4绝缘膜、多孔绝缘膜和第2绝缘膜的步骤；

在所述多孔绝缘膜和第2绝缘膜上形成布线槽的步骤；

在第3绝缘膜和第4绝缘膜上形成通孔的步骤；

在由所述布线槽和通孔划分的布线结构的上面、侧面、底面上，形成含有有机物的绝缘性阻挡层的步骤；

内蚀刻所述含有有机物的绝缘性阻挡层，去除所述布线结构的上面和底面的绝缘性阻挡层的步骤；

去除所述布线结构中通孔底面的第1绝缘膜的步骤；和

在所述布线槽和通孔中埋设金属膜的步骤。

5.根据权利要求3或4所述的多层布线的制造方法，其中，所述含有有机物的绝缘性阻挡层，利用等离子聚合法形成。