[发明专利]成像装置和成像方法无效
申请号: | 200810002645.3 | 申请日: | 2005-05-17 |
公开(公告)号: | CN101232575A | 公开(公告)日: | 2008-07-30 |
发明(设计)人: | 千叶卓也;滨野明;田中健二 | 申请(专利权)人: | 索尼株式会社 |
主分类号: | H04N5/217 | 分类号: | H04N5/217 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 黄小临 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 成像 装置 方法 | ||
1.一种成像装置,包括:
成像器件(205),该器件有多个像素组,每个像素组至少有一个像素;
信号检测装置(211),用于从像素读出存储的电荷,并且输出具有信号电平的信号,该信号电平对应于读出的存储的电荷的量;
缺陷检测装置(212),用于根据信号电平判定像素是否是缺陷像素;和
控制装置(212),用于控制以第一种读出方法和第二种读出方法从所述成像器件的像素读出存储电荷,
其中在第二种读出方法中,从像素读出存储的电荷,从而每个像素的电荷存储时间至少在部分像素组中与第一种读出方法不同,和
其中对于所述读出方法,所述缺陷检测装置根据电荷存储时间设置缺陷判定电平,并且将信号电平大于缺陷判定电平的像素判定为缺陷像素。
2.根据权利要求1所述的成像装置,还包括:
存储装置;和
缺陷补偿装置,
其中在第一种读出方法中,从每个像素读出存储的电荷,从而每个像素组的电荷存储时间以第一比率,与每个像素组到所述成像器件的预定位置的距离成比例,
其中在第二种读出方法中,从每个像素读出存储的电荷,从而每个像素组的电荷存储时间以第二比率,与每个像素组到所述成像器件的预定位置的距离成比例,该第二比率与第一比率不同,
其中所述缺陷检测装置在从第一种读出方法中和第二种读出方法中选出的一个读出方法中,为像素组设置缺陷判定电平,判定信号电平大于缺陷判定电平的像素为缺陷像素,并且将所述成像器件的缺陷像素的地址,和缺陷像素的信号电平存储到所述存储装置,和
其中当所述缺陷补偿装置在另一种读出方法中补偿缺陷像素时,所述缺陷补偿装置
使用存储在所述存储装置中的缺陷像素的地址,获得缺陷像素到所述
成像器件的预定位置的距离,
使用存储在所述存储装置中的缺陷像素的信号电平、计算的距离、第
一比率、和第二比率获得转化的缺陷像素的信号电平,
比较转化的信号电平和缺陷判定电平,并且判定是否补偿缺陷像素。
3.根据权利要求1所述的成像装置,
其中在第一种读出方法中,从每个像素读出存储的电荷,从而每个像素组的电荷存储时间以第一比率,与每个像素组到所述成像器件的预定位置的距离成比例,
其中在第二种读出方法中,从每个像素读出存储的电荷,从而每个像素组的电荷存储时间以第二比率,与每个像素组到所述成像器件的预定位置的距离成比例,该第二比率与第一比率不同,
其中所述缺陷检测装置在从第一种读出方法中和第二种读出方法中选出的一个读出方法中,为像素组设置缺陷判定电平,判定信号电平大于缺陷判定电平的像素为缺陷像素,和
其中设置缺陷判定电平,从而它们以介于第一比率和第二比率之间的比率,成比例于到所述成像器件的预定位置的距离。
4.一种成像方法,包括步骤:
从成像器件的像素读出存储的电荷,该成像器件有多个像素组,每个像素组至少有一个像素,并且输出具有信号电平的信号,该信号电平对应于读出的存储的电荷的量;
根据信号电平判定像素是否是缺陷像素;和
控制以第一种读出方法和第二种读出方法从所述成像器件的像素读出存储电荷;
其中在第二种读出方法中,从像素读出存储的电荷,从而每个像素的电荷存储时间至少在部分像素组中与第一种读出方法不同,和
其中对于所述读出方法,通过根据电荷存储时间设置缺陷判定电平,并且将信号电平大于缺陷判定电平的像素判定为缺陷像素,来执行缺陷检测步骤。
5.根据权利要求4所述的成像方法,其中通过将成像器件的缺陷像素的地址存储到预定的存储器件,来执行缺陷检测步骤。
6.根据权利要求5所述的成像方法,还包括步骤:
补偿缺陷像素的信号,其中根据预定的读出方法,从存储器件获得缺陷像素的地址,从而识别要补偿的像素,来执行缺陷补偿步骤。
7.根据权利要求4所述的成像方法,其中在电荷存储时间的预定时段,将成像器件进行光线屏蔽。
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