[发明专利]在非易失性存储器件中的软编程方法

权利要求书

1.一种用于操作非易失性存储器件的方法，所述方法包括：

执行软编程，以在对多个单元串的存储单元执行擦除操作后将单元串的存储单元的阈值电压提高；

执行验证操作以确定每个单元串是否具有已被编程到大于验证电压的阈值电压的至少一个单元；以及

重复所述软编程和验证操作，直到确定每个单元串具有被编程到大于验证电压的阈值电压的至少一个单元。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述软编程使用递增步长脉冲编程ISPP方法。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，每个单元串耦合到位线，其中，所述验证操作包括：

将每个位线预充电到高电平；

通过向位线选择晶体管施加第一电压而将所选择的位线耦合到感测节点，以将对应于所选择的位线的单元串耦合到感测节点；

向每个字线施加验证电压；

将被施加第三电压的公共源极线耦合到对应于所选择的位线的单元串；

将所选择的位线与感测节点断开，并且评估对应于所选择的位线的单元串的电压电平；以及

通过向位线选择晶体管施加第二电压而将所选择的位线耦合到所述感测节点，第二电压小于第一电压。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，第一电压和第二电压的差值是0.4V到0.9V。

5.根据权利要求3所述的方法，其中，第一电压和第二电压的差值是0.9V。

6.根据权利要求3所述的方法，其中，第一电压和第二电压的差值是0.7V。

7.根据权利要求3所述的方法，其中，第一电压和第二电压的差值 大于0.5V。

8.根据权利要求3所述的方法，其中，第三电压是0.1V到0.5V。

9.根据权利要求3所述的方法，其中，第三电压是0.3V到0.5V。

10.根据权利要求3所述的方法，其中，在不大于7微秒中执行评估。

11.一种验证在非易失性存储器件中的软编程的方法，所述方法包括：

将单元串耦合到被预充电到高电平的位线，每个单元串具有多个单元；

向与单元串相关联的多个字线施加验证电压；

将位线与感测节点断开；

评估在每个单元串中的任何单元是否被编程到大于验证电压的阈值电压；以及

如果确定每个单元串具有被编程到大于所述验证电压的阈值电压的的至少一个单元，则输出验证结束信号。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，将单元串耦合到位线包括：

通过传送具有第一电压的位线选择信号而将所述位线耦合到所述感测节点。

13.根据权利要求12所述的方法，所述方法还包括：

通过传送具有小于第一电压的第二电压的位线选择信号而将给定的位线耦合到给定的感测节点，以便可以确定给定的单元串是否具有已被编程到大于所述验证电压的阈值电压的至少一个单元。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，第一电压和第二电压的差值是0.4V到0.9V。

15.根据权利要求13所述的方法，其中，第一电压和第二电压的差值是0.9V。

16.根据权利要求13所述的方法，其中，第一电压和第二电压的差值是0.7V。

17.根据权利要求13所述的方法，其中，第一电压和第二电压的差值大于0.5V。

18.根据权利要求14所述的方法，还包括： 

将单元串耦合到被施加偏压的公共源极线。

19.根据权利要求15所述的方法，其中，被施加到公共源极线的偏压是0.1V到0.5V。

20.根据权利要求15所述的方法，其中，被施加到公共源极线的偏压是0.2V到0.5V。