[发明专利]在非易失性存储器件中的软编程方法

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求在2007年8月8日提交的韩国专利申请号为2007-79487 的优先权，其全部内容通过引用结合于此。

技术领域

本发明涉及在非易失性存储器件中的软编程方法，用于执行软编程步 骤，以便改善被擦除的单元的阈值电压分布。

背景技术

近来，对于电子编程和擦除数据以及不要求定期重写数据的刷新功能 的非易失性存储器件的需求增加。

非易失性存储器件一般包括存储单元阵列，其具有用于存储数据的矩 阵类型的单元和页缓冲器，所述页缓冲器用于向在存储单元中的特定单元 编程数据或者从单元读取数据。

页缓冲器具有：连接到给定的存储单元的一对位线；寄存器，用于暂 时存储要被编程到存储单元的数据或者从单元读取的数据；感测节点，用 于感测特定位线的电压电平或者特定寄存器的电压电平；以及位线选择电 路，用于控制所述位线和所述感测节点的连接。

当在非易失性存储器件中执行擦除操作时，执行软编程操作，以便改 善被擦除的存储单元的阈值电压分布(例如当单元被过擦除(over erase) 时)。但是，在传统的软编程操作中，虽然只有在一个单元串中所包括的 一个单元的阈值电压大于验证电压，但是停止整个块的软编程操作。因此， 在使用软编程操作的情况下，被擦除的单元的阈值电压的分布可能变宽。

发明内容

本发明涉及在非易失性存储器件中的软编程方法，用于改善被擦除的 单元的阈值电压分布。

本发明还涉及一种用于验证软编程操作的方法，以便即使不应用负验 证电压也能提高读取裕量(read margin)。

根据本发明的一个实施例的在非易失性存储器件中的软编程方法包 括：执行软编程以便将存储单元的阈值电压提高给定的电平，其中，针对 存储单元执行擦除操作；执行验证操作以便验证在每个单元串中是否存在 被编程到大于验证电压的电压的单元；以及重复执行所述软编程，直到验 证整个单元串具有被编程到大于所述验证电压的电压的一个或多个单元。

一种验证在非易失性存储器件中的软编程的方法包括：将单元串耦合 到被预充电到高电平的位线；向在每个单元串中包括的每个字线施加0V 的验证电压；将所述位线与感测节点断开；通过将所述单元串与公共源极 线耦合来评估是否存在被编程到验证电压的单元，其中，向所述公共源极 线施加大于地电压的偏压；将所述位线耦合到所述感测节点，然后感测是 否编程了特定单元；以及在感测到整个单元串具有一个或多个被编程到大 于验证电压的电压的单元时，输出验证结束信号。

如上所述，一种在非易失性存储器件中的软编程方法可以改善被擦除 的单元的阈值电压分布。在此，当施加0V的验证电压时的验证操作具有 与当施加负验证电压时的验证操作相同的效率。结果，可以改善读取裕量。

附图说明

图1是图解根据本发明的一个实施例的非易失性存储器件的视图；

图2A是图解传统的软编程方法的视图；

图2B是图解传统的软编程方法的流程图；

图2C是图解在执行传统的软编程方法后的阈值电压分布的视图；

图3是图解根据本发明的一个实施例的软编程方法的流程图；

图4是图解根据本发明的一个实施例的当结束软编程操作时的阈值 电压分布的视图；

图5是图解根据本发明的一个实施例的验证操作的视图；

图6A和图6B是图解由于读取干扰和小读取裕量导致的故障发生的 视图；

图7是图解根据本发明的一个实施例的在负方向上移动验证线的过 程的视图；

图8是图解根据本发明的一个实施例的当执行验证操作时施加的电 压信号中的每一个的波形的时序图；以及

图9是图解根据本发明的一个实施例的验证电压的改变的视图。

具体实施方式

以下，参照附图来更详细地说明本发明的实施例。

图1是图解根据本发明的一个实施例的非易失性存储器件的视图。