[发明专利]电平转换装置与方法无效
申请号: | 200810002998.3 | 申请日: | 2008-01-15 |
公开(公告)号: | CN101488742A | 公开(公告)日: | 2009-07-22 |
发明(设计)人: | 陈逸琳 | 申请(专利权)人: | 瑞昱半导体股份有限公司 |
主分类号: | H03K19/0175 | 分类号: | H03K19/0175;H03K19/0185 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 吕晓章 |
地址: | 中国台湾新*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电平 转换 装置 方法 | ||
1.一种电平转换装置,包含:
一第一电平转换电路,用以接受第一工作电压电平的输入,转换成正反 相的第二工作电压电平;以及
一输出级电路,其根据该正反相的第二工作电压电平相互间的电位高低, 而产生输出。
2.如权利要求1所述的电平转换装置,其中该第二工作电压高于该第一 工作电压。
3.如权利要求1所述的电平转换装置,其中当正相的第二工作电压电平 高于反相的第二工作电压电平时,输出为高电平;当反相的第二工作电压电 平高于正相的第二工作电压电平时,输出为低电平。
4.如权利要求1所述的电平转换装置,其中该输出级电路为一比较器, 该比较器的两输入分别接收该正反相的第二工作电压电平,其输出则作为整 个电平转换装置的输出。
5.如权利要求1所述的电平转换装置,其中该输出级电路为第二电平转 换电路,其输入接收该正反相的第二工作电压电平,其输出作为整个电平转 换装置的输出。
6.如权利要求5所述的电平转换装置,其中该第二电平转换电路包含一 对PMOS晶体管与一对NMOS晶体管,该对PMOS晶体管的漏极互相与对 方的栅极电连接,而该对NMOS晶体管的源极均接地,漏极分别与该对PMOS 晶体管的漏极电连接,且栅极分别接收该正反相的第二工作电压电平。
7.如权利要求6所述的电平转换装置,其中第二电平转换电路中,至少 其中一个PMOS晶体管的漏极,产生整个电平转换装置的输出。
8.一种电平转换方法,包括:
将第一工作电压电平的输入,转换成正反相的第二工作电压电平;以及
根据该正反相的第二工作电压电平间的相互关系,决定输出电平。
9.如权利要求8所述的方法,其中该第二工作电压高于该第一工作电压。
10.如权利要求8所述的方法,其中当正相的第二工作电压电平高于反 相的第二工作电压电平时,输出为高电平;当反相的第二工作电压电平高于 正相的第二工作电压电平时,输出为低电平。
11.如权利要求8所述的方法,其中该决定输出电平的步骤包括:比较 该正反相的第二工作电压电平。
12.如权利要求8所述的方法,其中该决定输出电平的步骤包括:提供 一个电平转换电路,其输入接收该正反相的第二工作电压电平,其输出作为 整个电平转换装置的输出。
13.如权利要求12所述的方法,其中该电平转换电路包含一对PMOS 晶体管与一对NMOS晶体管,该对PMOS晶体管的漏极互相与对方的栅极电 连接,而该对NMOS晶体管的源极均接地,漏极分别与该对PMOS晶体管的 漏极电连接,且栅极分别接收该正反相的第二工作电压电平。
14.如权利要求13所述的方法,其中第二电平转换电路中,至少其中一 个PMOS晶体管的漏极,产生整个电平转换装置的输出。
15.一种用于转换电压电平的装置,该装置包含有:
一第一电压电平转换电路,用以接收具有第一工作电压电平的一输入信 号,转换成具有第二电压电平的一第一转换信号及一第二转换信号,其中该 第一工作电压电平与该第二工作电压电平不相同;以及
一输出电路,耦接于该第一电压电平转换电路,用以根据该第一及该第 二转换信号的电位而产生一输出信号。
16.如权利要求15所述的装置,其中该输入信号为一频率信号,而该频 率信号的高电平电位与该第一工作电压电平本质上相同。
17.如权利要求15所述的装置,其中该第一及该第二转换信号分别为一 第一频率信号及一第二频率信号,而该第一及该第二频率信号的高电平电位 与该第二工作电压电平本质上相同,且该第一及该第二频率信号间具有180° 的相位差。
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