[发明专利]电平转换电路

权利要求书

1.一种电平转换电路，其特征在于，所述电平转换电路包含：

反相器，其输入端连接输入电压，用来输出反相输入电压，其中所述输入电压的范围介于低供应电压和零电平之间；

第一NMOS晶体管，其栅极连接所述输入电压，源极接地；

第一厚氧化层NMOS晶体管，其栅极连接第一参考电压，源极耦接所述第一NMOS晶体管的漏极；

第二NMOS晶体管，其栅极连接所述反相输入电压，源极接地；

第二厚氧化层NMOS晶体管，其栅极连接所述第一参考电压，源极耦接所述第二NMOS晶体管的漏极，其中所述第二厚氧化层NMOS晶体管的漏极输出输出电压，所述输出电压的范围介于高供应电压和零电平之间；

第一厚氧化层PMOS晶体管，其栅极连接所述第二厚氧化层NMOS晶体管的漏极，源极连接所述第一厚氧化层NMOS晶体管的漏极；

第二厚氧化层PMOS晶体管，其栅极连接所述第一厚氧化层NMOS晶体管的漏极，源极连接所述第二厚氧化层NMOS晶体管的漏极；

第三厚氧化层PMOS晶体管，其栅极连接所述输入电压，源极连接所述第一厚氧化层PMOS晶体管的漏极，漏极连接所述高供应电压；以及

第四厚氧化层PMOS晶体管，其栅极连接所述反相输入电压，源极连接所述第二厚氧化层PMOS晶体管的漏极，漏极连接所述高供应电压。

2.如权利要求1所述的电平转换电路，其特征在于，所述第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管是薄氧化层NMOS晶体管。

3.如权利要求1所述的电平转换电路，其特征在于，所述电平转换电路进一步包含：

第三NMOS晶体管，其栅极连接至第二参考电压，源极连接至所述第一NMOS晶体管的漏极，漏极连接至所述第一厚氧化层NMOS晶体管的源极；以及

第四NMOS晶体管，其栅极连接至所述第二参考电压，源极连接至所述第二NMOS晶体管的漏极，漏极连接至所述第二厚氧化层NMOS晶体管的源极。

4.如权利要求3所述的电平转换电路，其特征在于，所述第三NMOS晶体管和第四NMOS晶体管是薄氧化层NMOS晶体管。

5.如权利要求1所述的电平转换电路，其特征在于，所述输入电压的范围介于0.5伏特至2.5伏特之间。

6.如权利要求1所述的电平转换电路，其特征在于，所述输出电压的范围介于3伏特至10伏特之间。

7.一种电平转换电路，其特征在于，所述电平转换电路包含：

反相器，其输入端连接输入电压，用来输出反相输入电压，其中所述输入电压的范围介于低供应电压和零电平之间；

第一NMOS晶体管，其栅极连接所述输入电压，源极接地；

第一厚氧化层NMOS晶体管，其栅极连接所述输入电压，源极耦接所述第一NMOS晶体管的漏极；

第二NMOS晶体管，其栅极连接所述反相输入电压，源极接地；

第二厚氧化层NMOS晶体管，其栅极连接所述反相输入电压，源极耦接所述第二NMOS晶体管的漏极，其中所述第二厚氧化层NMOS晶体管的漏极输出输出电压，所述输出电压的范围介于高供应电压和零电平之间；

第一厚氧化层PMOS晶体管，其栅极连接所述第二厚氧化层NMOS晶体管的漏极，源极连接所述第一厚氧化层NMOS晶体管的漏极；

第二厚氧化层PMOS晶体管，其栅极连接所述第一厚氧化层NMOS晶体管的漏极，源极连接所述第二厚氧化层NMOS晶体管的漏极；

第三厚氧化层PMOS晶体管，其栅极连接所述输入电压，源极连接所述第一厚氧化层PMOS晶体管的漏极，漏极连接所述高供应电压；以及

第四厚氧化层PMOS晶体管，栅极连接所述反相输入电压，源极连接所述第二厚氧化层PMOS晶体管的漏极，漏极连接所述高供应电压。

8.如权利要求7所述的电平转换电路，其特征在于：

所述第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管是薄氧化层NMOS晶体管；以及

所述第一厚氧化层NMOS晶体管和第二厚氧化层晶体管是耗尽型NMOS晶体管，具有不大于零的临界电压值。