[发明专利]主动元件阵列结构及其制造方法有效
申请号: | 200810003065.6 | 申请日: | 2008-01-18 |
公开(公告)号: | CN101217153A | 公开(公告)日: | 2008-07-09 |
发明(设计)人: | 游伟盛;方国龙;林祥麟;曾贤楷;林汉涂 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L23/522;H01L21/82;H01L21/768;G02F1/1362 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 杨俊波 |
地址: | 台湾省*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 主动 元件 阵列 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种主动元件阵列结构,配置于一基板上,其特征在于,该主动元件阵列结构包括:
一第一图案化导体层,配置于该基板上,其包括多条扫描线以及与该些扫描线连接的多个栅极与多个扫描接垫;
一图案化栅绝缘层,具有多个第一开口,以暴露出部分该第一图案化导体层;
一图案化半导体层,配置于该图案化栅绝缘层上;
一第二图案化导体层,直接配置于该图案化半导体层上,该第二图案化导体层包括多条数据线、多个漏极以及与该些数据线连接的多个源极与多个数据接垫,其中该些数据线与该些扫描线相交,而该些漏极与该些源极位于该些栅极上方;
一图案化平坦层,该图案化平坦层具有多个第二开口,位于该些第一开口上方的该些第二开口暴露出该些第一开口所暴露出的部分该第一图案化导体层,而部分该些第二开口暴露出部分该第二图案化导体层;以及
一透明导电层,全面地配置于该基板上,其中配置于该些第一开口以及该些第二开口内的部分该透明导电层在该基板以及该图案化平坦层之间断开。
2.如权利要求1所述的主动元件阵列结构,其特征在于,该第一图案化导体层的结构包括叠层的一第一铝金属层以及一第一钛金属层,且该第二图案化导体层的结构包括叠层的一第二铝金属层以及一第二钛金属层。
3.如权利要求2所述的主动元件阵列结构,其特征在于,该第一钛金属层位于该第一铝金属层以及该基板之间。
4.如权利要求3所述的主动元件阵列结构,其特征在于,该些第一开口所暴露出来的该第一铝金属层具有底切的侧壁。
5.如权利要求2所述的主动元件阵列结构,其特征在于,该第二钛金属层位于该第二铝金属层以及该图案化半导体层之间。
6.如权利要求5所述的主动元件阵列结构,其特征在于,部分该些第二开口暴露出部分该些数据接垫以及该些数据线,且该第二铝金属层在暴露出来的该些数据接垫以及该些数据线处具有底切的侧壁。
7.如权利要求5所述的主动元件阵列结构,其特征在于,部分该些第二开口暴露出该些漏极,且该第二铝金属层在靠近对应的该些栅极处具有底切的侧壁。
8.如权利要求1所述的主动元件阵列结构,其特征在于,该第一图案化导体层的结构包括叠层的一第一铝金属层以及一第一钼金属层,而该第二图案化导体层的结构包括依次堆叠的一第一钛金属层、一第二铝金属层以及一第二钛金属层。
9.如权利要求8所述的主动元件阵列结构,其特征在于,该第一图案化导体层的结构更包括一第二钼金属层,该第一铝金属层位于该第一钼金属层以及该第二钼金属层之间。
10.如权利要求8所述的主动元件阵列结构,其特征在于,更包括一图案化保护层,而该图案化平坦层位于该图案化保护层以及该透明导电层之间。
11.如权利要求10所述的主动元件阵列结构,其特征在于,该些第二开口暴露出该些数据接垫,而在该些数据接垫与该图案化平坦层之间,该图案化保护层具有底切的侧壁。
12.如权利要求10所述的主动元件阵列结构,其特征在于,当该图案化平坦层、该图案化保护层及该图案化栅绝缘层紧密堆叠时,在该些第一开口与该些第二开口连通处,该图案化保护层具有底切的侧壁。
13.如权利要求10所述的主动元件阵列结构,其特征在于,部分该些第二开口暴露出该些漏极,且该图案化保护层在靠近对应的该些栅极处具有底切的侧壁。
14.如权利要求10所述的主动元件阵列结构,其特征在于,部分该些第二开口暴露出该些数据线,且在该些数据线与该图案化平坦层之间,该图案化保护层具有底切的侧壁。
15.如权利要求10所述的主动元件阵列结构,其特征在于,部分该图案化半导体层更配置于该图案化保护层以及该图案化栅绝缘层之间,位于该些扫描接垫与该些扫描线上方。
16.如权利要求15所述的主动元件阵列结构,其特征在于,部分该些第一开口暴露出该些扫描线以及该些扫描接垫,且在该些扫描线上方,该图案化半导体层以及该图案化平坦层之间的该图案化保护层具有底切的侧壁。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于友达光电股份有限公司,未经友达光电股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810003065.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的