[发明专利]主动元件阵列结构及其制造方法

说明书

技术领域

本发明有关于一种主动元件阵列结构及其制造方法，且特别是有关于一种具有平坦层的主动元件阵列结构及其制造方法。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示面板(Thin Film Transistor Liquid CrystalDisplay panel，TFT LCD panel)主要是由主动元件阵列结构(Active devicearray structure)、彩色滤光阵列结构(Color filter array structure)和液晶层所构成，其中主动元件阵列结构是由多个以阵列排列的主动元件，也就是薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)，以及与每一薄膜晶体管对应配置的一像素电极(Pixel Electrode)所组成。上述的薄膜晶体管包括栅极(Gate)、通道区(Channel)、漏极(Drain)与源极(Source)，而薄膜晶体管用来作为液晶显示单元的开关元件。

图1为一种现有具有平坦层的主动元件阵列基板的俯视示意图，图2A至图2E为沿图1中剖线II’的制造工艺的剖面示意图。请参照图1与图2A，现有的主动元件阵列结构100的制造方法是首先进行第一道掩膜工艺，以在基板50上形成栅极112以及与其连接的扫描线120，并且同时在扫描线120的末端形成扫描接垫122。之后，在基板50上方覆盖一栅绝缘层130。

接着，请参照图1与图2B，进行第二道掩膜工艺，以在栅极112上方的栅绝缘层130上形成一通道区114。随之，请参照图1与图2C，进行第三道掩膜工艺，以形成源极116、漏极118以及与源极116连接的数据线140，且同时在数据线140的末端形成另一数据接垫142。然后，在基板50上方覆盖一保护层150。

接着，请参照图1与图2D，进行第四道掩膜工艺，以在保护层150上形成一图案化平坦层(patterned overcoat layer)160，并暴露出漏极118以及接垫122、142上方的保护层150。随后，以图案化平坦层160为蚀刻掩膜，移除接垫122、142上的栅绝缘层130与保护层150，并移除漏极118上的保护层150。

最后，请参照图1与图2E，进行第五道掩膜工艺，以在图案化平坦层160上形成像素电极170，并且在接垫122、142表面覆盖一图案化透明导电层172。以上述的工艺而言，于保护层150上形成图案化平坦层160的目的是为了提高液晶显示面板的显示开口率。详细来说，层厚较厚的图案化平坦层160可以避免像素电极170与数据线140之间所产生杂散电容(Parasiticcapacitor)太大，而影响液晶显示面板的特性。因此，图案化平坦层160的存在，像素电极170可以覆盖在部分数据线140的上方以提高显示开口率。

利用上述五道掩膜工艺可以有效提高液晶显示面板的显示开口率，并且可良好地控制主动元件阵列结构100的平坦度。然而，五道掩膜的使用使得工艺成本无法降低。因此，主动元件阵列结构100的制造工艺中，如何减少掩膜的使用数量成为重要的研发方向之一。

发明内容

本发明的主要目的是提供一种主动元件阵列结构，可应用于液晶显示面板中以提升液晶显示面板的显示开口率。

本发明的另一目的是提供一种主动元件阵列结构的制造方法，以降低制作主动元件阵列结构时所需的工艺成本。

本发明提出一种主动元件阵列结构，其配置于一基板上。主动元件阵列结构包括一第一图案化导体层、一图案化栅绝缘层、一图案化半导体层、一第二图案化导体层、一图案化平坦层、一透明导电层。第一图案化导体层包括多条扫描线以及与扫描线连接的多个栅极与多个扫描接垫。图案化栅绝缘层具有多个第一开口，以暴露出部分第一图案化导体层。图案化半导体层配置于图案化栅绝缘层上。第二图案化导体层直接配置于图案化半导体层上。第二图案化导体层包括多条数据线、多个漏极以及与数据线连接的多个源极与多个数据接垫。数据线与扫描线相交，而漏极与源极位于栅极上方。图案化平坦层具有多个第二开口，位于第一开口上方的第二开口暴露出第一开口所暴露出的部分第一图案化导体层，而部分第二开口暴露出部分第二图案化导体层。透明导电层全面地配置于基板上，其中配置于第一开口以及第二开口内的部分透明导电层在基板以及图案化平坦层之间断开。