[发明专利]抗反射板及其抗反射结构的制造方法

权利要求书

1、一种抗反射结构的制造方法，其特征在于，该方法包括：

a、提供一待处理物于一反应区内；

b、提供一等离子体源于该反应区内；

c、在常压下解离该等离子体源形成等离子体；以及

d、以等离子体处理该待处理物的表面，以于该待处理物的表面形成多个微突起结构。

2、根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该些微突起结构个别的平均宽度范围位于10纳米至500纳米之间。

3、根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该些微突起结构对于该待处理物的表面的粗糙度小于100nm。

4、根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该等离子体源至少为惰性气体、空气、氮气、氧气、氟碳化合物气体及碳氢化合物气体中之一。

5、根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该待处理物的材料为聚甲基丙烯酸甲酯PMMA。

6、根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该待处理物的材料为玻璃或硅晶圆。

7、根据权利要求6所述的方法，其特征在于，该等离子体源为氩气与四氟化碳组成的混合气体。

8、根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该步骤a至步骤d是在一大气压等离子体系统内进行，该大气等离子体系统可产生大气压等离子体辉光放电、大气压喷射等离子体、大气压等离子体火炬及大气压表面介电质放电至少其中之一。

9、一种抗反射结构的制造方法，其特征在于，该方法包括：

A、提供一待镀膜物于一反应区内；

B、提供一等离子体源于该反应区内；

C、提供一镀膜单体于该反应区内；

D、在常压下解离该等离子体源形成等离子体，使等离子体与该镀膜单体反应；以及

E、沉积该镀膜单体于该待镀膜物表面以形成一薄膜，该薄膜具有多个微突起结构。

10、根据权利要求9所述的方法，其特征在于，该方法进一步包括：

控制该待镀膜物的温度，其中该待镀膜物的温度范围位于10℃至100℃之间。

11、根据权利要求9所述的方法，其特征在于，该待镀膜物的材料至少为PMMA、硅晶圆及玻璃中之一。

12、根据权利要求9所述的方法，其特征在于，该些微突起结构个别的平均宽度范围位于10nm至500nm之间。

13、根据权利要求9所述的方法，其特征在于，该些微突起结构相对于该待镀膜物的表面的粗糙度小于100nm。

14、根据权利要求9所述的方法，其特征在于，该等离子体源至少为惰性气体、空气、氮气、氧气、氟碳化合物气体及碳氢化合物气体中之一。

15、根据权利要求9所述的方法，其特征在于，该步骤C中，该镀膜单体是以一承载气体携带入该反应区内，该承载气体至少为惰性气体、空气、氮气、氧气、氟碳化合物气体及碳氢化合物气体中之一。

16、根据权利要求9所述的方法，其特征在于，该镀膜单体至少为硅氧化物、氟硅氧化物、金属氧化物、饱和碳氢化合物及不饱和碳氢化合物中之一。

17、根据权利要求9所述的方法，其特征在于，该步骤A至步骤E是在一大气等离子体系统内进行，该大气等离子体系统可产生大气压等离子体辉光放电、大气压喷射等离子体、大气压等离子体火炬及大气压表面介电质放电至少其中之一。

18、一种抗反射板，具有一光入射面，该抗反射板包括设置于该光入射面上的多个微突起结构，该些微突起结构个别的平均宽度范围位于10nm至500nm之间。

19、根据权利要求18所述的反射板，其特征在于，该些微突起结构相对于该光入射面的粗糙度小于100nm。

20、根据权利要求18所述的反射板，其特征在于，该抗反射板的材料至少为玻璃、硅晶圆及PMMA中之一。

21、根据权利要求18所述的反射板，其特征在于，该抗反射板进一步包括：

一衬底；以及

一单层薄膜，设置于该衬底上，该单层薄膜具有该些微突起结构。