[发明专利]抗反射板及其抗反射结构的制造方法无效
申请号: | 200810003180.3 | 申请日: | 2008-01-15 |
公开(公告)号: | CN101487904A | 公开(公告)日: | 2009-07-22 |
发明(设计)人: | 陈志玮;吴清吉;谢文宗;许文通;林春宏 | 申请(专利权)人: | 财团法人工业技术研究院 |
主分类号: | G02B1/11 | 分类号: | G02B1/11;B82B3/00;B82B1/00;H01L31/18 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 周国城 |
地址: | 台湾省*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 反射 及其 结构 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种抗反射板及其抗反射结构的制造方法,且特别是涉及一种具有纳米级微突起的抗反射结构的抗反射板及其制造方法。
背景技术
抗反射技术可以广泛应用于各领域,例如运用在眼镜镜片、光盘的表面,或者电视、计算机屏幕、数字相机、PDA、GPS及手机的显示器表面,以及汽车玻璃、飞机及汽车的仪表板表面,甚至于展示橱窗及生医应用。物体经抗反射技术处理后可以减少物体表面对外界光源反射所造成的炫光或鬼影现象,甚至用于太阳能板(solar collector)的表面以增加光能的利用效率等,可以显著改善现有产品的影像表现或光能利用率。
目前主要的抗反射技术是在衬底表面形成多层不同折射率的薄膜来降低光反射率。由于现有薄膜工艺大多需要在真空环境下进行镀膜,所需工艺十分费时且成本高昂。加上多层薄膜的良率难以控制,使得使用抗反射技术的产品成本十分高昂而无法普及于大众。
发明内容
有鉴于此本发明的主要目的在于提供一种抗反射板及其抗反射结构的制造方法,利用大气压等离子体形成抗反射结构,使制造抗反射板所需的材料及时间成本大为降低。
根据本发明,提出一种抗反射结构的制造方法,包括下列步骤:首先,提供待处理物于反应区内。接着,提供等离子体源于反应区内。然后,在常压下解离等离子体源形成等离子体。接着,以等离子体处理待处理物的表面,并于衬底的表面形成多个微突起结构。
根据本发明,提出一种抗反射结构的制造方法,包括下列步骤。首先,提供待镀膜物于反应区内。接着,提供等离子体源于该反应区内。然后,提供镀膜单体于反应区内。接着,在常压下解离等离子体源形成等离子体,使等离子体与镀膜单体反应。然后,沉积镀膜单体于待镀膜物表面以形成薄膜,薄膜具有多个微突起结构。
根据本发明,提出一种抗反射板,具有光入射面,抗反射板包括多个微突起结构设置于光入射面上。微突起结构个别的平均宽度范围位于10nm至500nm之间。
为让本发明的上述内容能更明显易懂,下文特举较佳实施例,并配合所附图式,作详细说明。
附图说明
图1绘示依照本发明实施例一的抗反射板的形成步骤流程图;
图2A绘示待处理物与大气等离子体设备的示意图;
图2B绘示经过大气压等离子体处理的抗反射板的示意图;
图2C绘示图2B的抗反射板的局部放大图;
图3A绘示PMMA衬底经等离子体处理前与处理后于不同光波长下的光穿透率比较图;
图3B绘示玻璃衬底经等离子体处理前与处理后于不同光波长下的光穿透率比较图;
图3C绘示未抛光硅晶圆经等离子体处理前与处理后于不同光波长下的光反射率比较图;
图3D绘示抛光硅晶圆经等离子体处理前与处理后于不同光波长下的光反射率比较图;
图4绘示依照本发明实施例二的抗反射板的形成步骤流程图;
图5A绘示待镀膜物与大气等离子体设备的示意图;
图5B绘示以大气压等离子体镀膜所形成的抗反射板的示意图;
图5C绘示图5B的抗反射板的局部放大图;以及
图6绘示玻璃衬底以不同镀膜单体进行等离子体镀膜前与镀膜后于不同光波长下的光穿透率比较图。
【主要元件符号说明】
2:等离子体枪
4:等离子体
5:平台
6:反应区
31、32、33、34、35、36、37a、37b、38、39a、39b、61、63、64:曲线
100:待处理物
100a、200a:抗反射板
101、201:表面
101a、211:光入射面
110、215:微突起结构
200:待镀膜物
210:抗反射薄膜
具体实施方式
大气压等离子体(atmospheric pressure plasma,APP)是指在一大气压或接近一大气压的状态下所产生的等离子体。相较于传统的真空等离子体技术,大气等离子体系统在成本上有绝对的优势。以设备成本而言,它不需使用昂贵及笨重的真空设备;就工艺方面,元件可以不受真空腔体的限制,并可以进行连续式的量产程序。这些技术特色皆可有效地降低产品的制造成本。
当光线投射在任何材料上时,不论材料透明与否,有一部份会被反射回来。这种反射现象是由于光线在两种传递介质间在界面上折射率(refractive index)急剧变化所造成。
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