[发明专利]基板保持机构和等离子体处理装置有效
申请号: | 200810003447.9 | 申请日: | 2008-01-15 |
公开(公告)号: | CN101226894A | 公开(公告)日: | 2008-07-23 |
发明(设计)人: | 石田宽 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/66;H01L21/00 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 保持 机构 等离子体 处理 装置 | ||
1.一种基板保持机构,在生成等离子体的空间内载置保持由绝缘体构成的矩形的被处理基板,其特征在于,包括:
载置保持所述被处理基板的矩形的载置台;
用于向所述载置台和保持在该载置台的基板保持面上的被处理基板之间供给气体的气体流路;
在所述载置台的基板保持面形成的、将来自所述气体流路的气体导向所述基板保持面上的多个气孔;
以使形成所述气孔的区域成为所述基板保持面的内侧的方式,遍及所述气孔形成区域整个面而形成的凹部;
在所述基板保持面的所述气孔形成区域的外周形成的框部;
在所述框部形成的多个基板错位检测孔;
连通所述基板错位检测孔和所述凹部的连通路;
对所述气体流路的压力进行测定的压力测定机构;和
在将被处理基板保持在所述载置台上时,根据来自所述压力测定机构的检测压力对来自所述气孔的气体的泄漏量进行检测,并根据该检测结果对所述被处理基板是否有所述规定的错位容许量以上的错位进行检测的错位检测机构。
2.如权利要求1所述的基板保持机构,其特征在于:
所述基板错位检测孔形成在所述框部的4个角部。
3.如权利要求1所述的基板保持机构,其特征在于:
在所述凹部的下面,设置有在形成有该凹部的区域内保持所述基板的多个凸部。
4.一种基板保持机构,在生成等离子体的空间内载置保持由绝缘体构成的被处理基板,其特征在于,包括:
载置保持所述被处理基板的载置台;
用于向所述载置台和保持在该载置台的基板保持面上的被处理基板之间供给气体的气体流路;
在所述载置台的基板保持面形成的、将来自所述气体流路的气体导向所述基板保持面上的多个气孔;
当所述被处理基板位于所述载置台的基板保持面的基准位置时,比该被处理基板的周边向外侧仅离开规定的错位容许量并沿所述周边配设的,以比所述载置台的基板保持面高的方式突出的错位检测用突起;
对所述气体流路的压力进行测定的压力测定机构;和
在将被处理基板保持在所述载置台上时,根据来自所述压力测定机构的检测压力对来自所述气孔的气体的泄漏量进行检测,根据该检测结果对所述被处理基板是否有所述规定的错位容许量以上的错位进行检测的错位检测机构。
5.如权利要求4所述的基板保持机构,其特征在于:
所述错位容许量设定在当将被处理基板保持在所述载置台上时所述载置台的基板保持面不露出的范围。
6.如权利要求4所述的基板保持机构,其特征在于:
所述载置台包括:基座;设置在所述基座上,在所述基板保持面上保持所述被处理基板的基板保持部;和以包围所述基座和所述基板保持部的周围的方式配置的外框部,
所述错位检测用突起形成在所述外框部的上部。
7.如权利要求6所述的基板保持机构,其特征在于:
令所述基板保持面的尺寸为仅比所述被处理基板的尺寸小2a的尺寸、令所述错位容许量为尺寸b时,各尺寸a、b的关系为a>b。
8.如权利要求7所述的基板保持机构,其特征在于:
令所述外框部的上部的高度为h1、所述错位检测用突起的上部的高度为h2、所述基板保持面的高度为h时,所述各高度h1、h、h2的关系为h1≤h<h2。
9.如权利要求6所述的基板保持机构,其特征在于:
所述错位检测用突起沿所述被处理基板的周边形成为框状。
10.如权利要求6所述的基板保持机构,其特征在于:
所述错位检测用突起形成为棋子状,
沿所述被处理基板的周边设置有多个所述棋子状的错位检测用突起。
11.如权利要求4所述的基板保持机构,其特征在于:
所述错位检测用突起以能够装卸的方式设置。
12.如权利要求6所述的基板保持机构,其特征在于:
所述基板保持部通过在下部电介质层和上部电介质层之间夹着电极板而构成,并且利用通过向所述电极板施加规定的电压而产生的静电吸附力,将所述被处理基板吸附保持在所述基板保持面上。
13.一种等离子体处理装置,其通过向处理室内导入处理气体并产生所述处理气体的等离子体,对处理室内的载置台上载置保持的由绝缘体构成的被处理基板实施规定的等离子体处理,其特征在于,包括:
用于向所述载置台和保持在该载置台的基板保持面上的被处理基板之间供给气体的气体流路;
在所述载置台的基板保持面形成的、将来自所述气体流路的气体导向所述基板保持面上的多个气孔;
当所述被处理基板位于所述载置台的基板保持面的基准位置时,比该被处理基板的周边向外侧仅离开规定的错位容许量并沿所述周边配设的,以比所述载置台的基板保持面高的方式突出的错位检测用突起;
对所述气体流路的压力进行测定的压力测定机构;和
在将被处理基板保持在所述载置台上时,根据来自所述压力测定机构的检测压力对来自所述气孔的气体的泄漏量进行检测,根据该检测结果对所述被处理基板是否有所述规定的错位容许量以上的错位进行检测的错位检测机构。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社,未经东京毅力科创株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810003447.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:套圈式中心架
- 下一篇:用于激光校准的系统和方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造