[发明专利]基板保持机构和等离子体处理装置有效
申请号: | 200810003447.9 | 申请日: | 2008-01-15 |
公开(公告)号: | CN101226894A | 公开(公告)日: | 2008-07-23 |
发明(设计)人: | 石田宽 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/66;H01L21/00 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 保持 机构 等离子体 处理 装置 | ||
技术领域
本发明涉及保持液晶显示器(Liquid Crystal Display)、电致发光显示器(Electro-Luminescence Display)等平板显示器(Flat Panel Display)的基板保持机构和等离子体处理装置。
背景技术
在平板显示器(FPD)的面板制造中,一般在由玻璃等绝缘体构成的基板上形成像素的元件或电极和配线等。在这样的面板制造的各种工序中,利用等离子体处理装置进行蚀刻、CVD、灰化、溅射等细微加工。等离子体处理装置,例如在可减压的处理容器内将基板载置在具备构成下部电极的基座的载置台的上面,向基座供给高频电力,由此,在基板上形成处理气体的等离子体,并且通过该等离子体在基板上进行蚀刻等规定的处理。
在这种情况下,有必要抑制由等离子体处理中的放热而引起的温度上升从而稳定地控制基板的温度。为此,多采用如下方式,即,在从冷机装置向载置台内的冷却剂流路循环供给已调温的冷却剂的同时,使氦气等传热性良好的气体(传热气体)通过载置台的内部供向基板的背面,间接冷却基板。该冷却方式,因为有必要抵挡氦气的供给压力将基板固定保持在载置台上,所以在载置台上设置有基板保持部,例如利用静电吸附力将基板吸附保持在基板保持部的基板保持面上。
一旦基板相对载置台上的基板保持面错位,基板保持面就从基座露出,因此如果在该状态下对基座施加高频电力产生等离子体,就存在发生异常放电使基座损伤的可能性。因此,如果能在产生等离子体之前检测出这样的基板的错位,就能够预先防止异常放电的发生。
但是,近年来FPD用的绝缘基板对大型化的要求越来越强。这样的FPD用的基板与半导体晶片相比尺寸非常大,因此即使使用搬送臂等搬送机构也极难准确地将基板载置在载置台上。因此,在使用FPD用的基板的情况下,有必要在不发生异常放电的范围内容许基板某种程度的错位。
作为针对这样的错位的对策方法,例如已知在专利文献1、2中公开了半导体晶片的技术。这些的技术为,通过在边缘环上形成倾斜面,在载置有半导体晶片的区域的外侧设置倾斜的突起,即使半导体晶片产生错位,其端部卡在边缘环或突起的斜面上,也能够在倾斜面上滑落从而修正错位。
但是,就这样的技术而言,在与半导体晶片相比尺寸非常大的FPD用的基板中其重量也比半导体晶片大,因此即使FPD用的基板的端部卡在边缘环或突起的斜面上,也难以从斜面上滑落,很可能一直保持搁浅的状态而不能修正错位。
另外,例如专利文献3中公开的技术所示,在载置台的上部设置压力测定孔,通过压力测定孔向载置台和半导体晶片之间供给压力测定气体并监视压力测定气体的压力。在该方法中,例如在没有半导体晶片的情况或静电保持力小的情况下,从压力测定孔泄漏压力测定气体从而使压力降低,因此通过监视其压力来对载置台上的半导体晶片的有无和保持状态进行检测。但是,该方法不能检测出半导体晶片的错位。
专利文献1:日本特开2005-116645号公报
专利文献2:日本特开平11-186370号公报
专利文献3:日本特开平4-359539号公报
发明内容
在此,本发明是鉴于上述问题而提出的,其目的在于提供一种在某种程度上容许被处理基板的错位,并能够预先防止异常放电的发生的基板保持机构和等离子体处理装置。
为了解决上述课题,根据本发明具有的观点,提供一种在生成等离子体的空间内载置保持由绝缘体构成的矩形的被处理基板的基板保持机构,其特征在于,包括:载置保持上述被处理基板的矩形的载置台;用于向上述载置台和保持在该载置台的基板保持面上的被处理基板之间供给气体的气体流路;在上述载置台的基板保持面形成的、将来自上述气体流路的气体导向上述基板保持面上的多个气孔;以使形成有上述气孔的区域成为上述基板保持面的内侧的方式,遍及上述气孔形成区域整个面而形成的凹部;在上述基板保持面的上述气孔形成区域的外周形成的框部;在上述框部形成的多个基板错位检测孔;连通上述基板错位检测孔和上述凹部的连通路;对上述流路的压力进行测定的压力测定机构;和在将被处理基板保持在上述载置台上时,根据来自上述压力测定机构的检测压力对来自上述气孔的气体的泄漏量进行检测,并根据该检测结果对上述被处理基板是否有上述规定的错位容许量以上的错位进行检测的错位检测机构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造