[发明专利]用于实施IC器件测试的方法和设备

权利要求书

1.一种用于测试集成电路器件的方法，所述方法包括以下步骤：

在施加一个或多个测试信号期间，使所述集成电路器件经受施加的磁场，所述施加的磁场在包括所述集成电路器件的一种或多种材料中诱导磁致伸缩效应；以及

确定归因于所述施加的磁场的所述集成电路器件内的任何缺陷的存在。

2.根据权利要求1的方法，其中在晶片级测试期间施加所述磁场。

3.根据权利要求1的方法，其中在封装级测试期间施加所述磁场。

4.根据权利要求1的方法，其中使用永久磁体施加所述磁场。

5.根据权利要求1的方法，其中使用电磁体施加所述磁场。

6.根据权利要求1的方法，其中在所述集成电路器件的老化测试期间施加所述磁场。

7.一种用于测试集成电路器件的方法，所述方法包括以下步骤：

在施加一个或多个测试信号期间，使所述集成电路器件经受施加的磁场，所述施加的磁场在包括所述集成电路器件的一种或多种材料中诱导磁致伸缩效应，其中所述诱导的磁致伸缩效应电激活下列中的一个或多个：在所述集成电路器件内存在的层错、位错以及微开裂；

测量选择的特性的改变，所述选择的特性的改变是作为所述施加的磁场的结果的在所述集成电路器件内的一个或多个基元的选择的特性的改变；

确定归因于所述施加的磁场的所述集成电路器件内的任何缺陷的存在；以及

实施冗余方案以修复所述集成电路器件内的任何确定的缺陷中的一个或多个缺陷。

8.根据权利要求7的方法，其中在晶片级测试期间施加所述磁场。

9.根据权利要求7的方法，其中在封装级测试期间施加所述磁场。

10.根据权利要求7的方法，其中使用永久磁体施加所述磁场。

11.根据权利要求7的方法，其中使用电磁体施加所述磁场。

12.根据权利要求7的方法，其中在所述集成电路器件的老化测试期间施加所述磁场。

13.根据权利要求7的方法，其中所述集成电路器件内的一个或多个基元的选择的特性包括存储器存储单元的可变保持时间(VRT)失效。

14.根据权利要求7的方法，其中确定归因于所述施加的磁场的所述集成电路器件内的任何缺陷的存在包括：分析归因于测量的改变的器件失效概率，所述测量的改变是作为所述施加的磁场的结果的在所述集成电路器件内的所述一个或多个基元的所述选择的特性的改变。

15.一种用于测试集成电路器件的设备，包括：

控制器，其被配置为用于向所述集成电路器件提供功率和测试信号；和

磁场源，其被配置为向所述集成电路器件施加磁场，其中配置所述施加的磁场以在包括所述集成电路器件的一种或多种材料中诱导磁致伸缩效应；以及

其中配置所述控制器以有助于确定归因于所述施加的磁场的所述集成电路器件内的任何缺陷的存在。

16.根据权利要求15的设备，还包括用于在其中设置所述集成电路器件的老化腔，所述老化腔室适应所述磁场源的使用与所述集成电路器件的老化测试。

17.根据权利要求16的设备，其中所述老化腔适应晶片级测试。

18.根据权利要求16的设备，其中所述老化腔适应封装级测试。

19.根据权利要求15的设备，其中所述磁场源包括永久磁体。

20.根据权利要求15的设备，其中所述磁场源包括电磁体。