[发明专利]感测式半导体封装件及其制法无效
申请号: | 200810003709.1 | 申请日: | 2008-01-21 |
公开(公告)号: | CN101494230A | 公开(公告)日: | 2009-07-29 |
发明(设计)人: | 张泽文;詹长岳;张锦煌;黄致明 | 申请(专利权)人: | 矽品精密工业股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L23/10;H01L23/31;H01L21/50 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 戈 泊 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 感测式 半导体 封装 及其 制法 | ||
1、一种感测式半导体封装件,包括:
基板;
具有感测区的感测芯片,接置于该基板上,且以焊线电性连接该感测芯片及基板;
黏着层,包覆该感测芯片周缘及该焊线,且不接触该感测芯片的感测区;以及
透光体,通过该黏着层而设于该基板,并封盖该感测区。
2、根据权利要求1所述的感测式半导体封装件,其中,该黏着层为遇热具有低黏滞系数的材料。
3、根据权利要求2所述的感测式半导体封装件,其中,该黏着层为环氧树脂胶片。
4、一种感测式半导体封装件的制法,包括:
提供一基板,并将具有感测区的感测芯片接置于该基板上,且以焊线电性连接该感测芯片及该基板;
制备一透光体,并于该透光体上形成有黏着层,且该黏着层具有对应该感测区的开口;以及
将该透光体通过该黏着层接置于该基板,使该黏着层包覆该感测芯片周缘及该焊线,且通过该开口以外露该感测芯片的感测区,以使该透光体封盖该感测区。
5、根据权利要求4所述的感测式半导体封装件的制法,其中,该黏着层为遇热具有低黏滞系数的材料。
6、根据权利要求5所述的感测式半导体封装件的制法,其中,该黏着层为环氧树脂胶片。
7、根据权利要求4所述的感测式半导体封装件的制法,其中,该透光体通过该黏着层接置于该基板时,经由加热该基板,使该黏着层在接着于该基板时呈低黏滞系数的熔融状态而包覆该感测芯片周缘及该焊线,且外露该感测芯片的感测区,并于移除热源后让该黏着层冷却固化,而使该透光体封盖该感测区。
8、一种感测式半导体封装件的制法,包括:
提供一呈批次状的基板,并将多个具有感测区的感测芯片接置于该基板上,且以焊线电性连接该感测芯片与该基板;
制备多个透光体,于各该透光体上形成有黏着层,且该黏着层具有对应该感测区的开口;
将该些透光体通过该黏着层接置于该基板,使各该黏着层包覆各该感测芯片周缘及该焊线,且通过该开口外露该感测芯片的感测区,以使各该透光体封盖各该感测区;以及
进行切单作业,以形成多个感测式半导体封装件。
9、根据权利要求8所述的感测式半导体封装件的制法,其中,该黏着层为遇热具有低黏滞系数的材料。
10、根据权利要求9所述的感测式半导体封装件的制法,其中,该黏着层为环氧树脂胶片。
11、根据权利要求8所述的感测式半导体封装件的制法,其中,该透光体通过该黏着层接置于该基板时,经由加热该基板,使该黏着层在接着于该基板时呈低黏滞系数的熔融状态而包覆该感测芯片周缘及该焊线,且外露该感测芯片的感测区,并于移除热源后让该黏着层冷却固化,而使该透光体封盖该感测区。
12、一种感测式半导体封装件的制法,包括:
提供一呈批次状的基板,并将多个具有感测区的感测芯片接置于该基板上,且以焊线电性连接该感测芯片与该基板;
制备一整片式透光体,于该透光体形成有黏着层,且该黏着层具有多个对应该感测区的开口;
将该透光体通过该黏着层接置于该基板,并使该黏着层包覆该感测芯片周缘及该焊线,且通过各该开口外露各该感测芯片的感测区,而使该透光体封盖该感测区;以及
进行切单作业,以形成多个感测式半导体封装件。
13、根据权利要求12所述的感测式半导体封装件的制法,其中,该黏着层为遇热具有低黏滞系数的材料。
14、根据权利要求13所述的感测式半导体封装件的制法,其中,该黏着层为环氧树脂胶片。
15、根据权利要求12所述的感测式半导体封装件的制法,其中,该透光体通过该黏着层接置于该基板时,经由加热该基板,使该黏着层在接着于该基板时呈低黏滞系数的熔融状态而包覆该感测芯片周缘及该焊线,且外露该感测芯片的感测区,并于移除热源后让该黏着层冷却固化,而使该透光体封盖该感测区。
16、根据权利要求12所述的感测式半导体封装件的制法,其中,该黏着层复具有对应切单作业的切割线的多个第二开口。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的