[发明专利]半导体元件的测试方法与系统

说明书

技术领域

本发明涉及一种晶圆的测试方法与系统，特别是关于一种在晶圆针测(chip probe)过程中发生地图偏移情形的判断方法与系统。

背景技术

集成电路(IC，integrated circuit)的生产流程是多层级的分工架构，包括了集成电路设计(IC design)、晶圆制造(wafer manufacturing)、晶圆针测(circuit probing)、封装(assembling)以及最终测试(finaltesting)。前述的生产分工中，晶圆针测与最终测试两道检测程序，都是确保产品质量的重要关卡。

一片晶圆上含有许多晶粒，这些晶粒通常被称为晶粒(die)但是并非所有的晶粒皆具有良好质量，因此晶圆针测的方法，是以很细的探针卡(probe card)或微小探针(fine-point needle)测试晶圆上的每一个晶粒，接着在不良的晶粒上标示记号或留存测试图(mapping file)，用以分类良品与不良品。若未进行晶圆针测，直接在晶圆制造完成后进行切割与封装，则不良品的封装成本是非必要的浪费。因此晶圆针测这个步骤可以分类晶圆上的良品与不良品，以降低封装与后续测试的成本。

晶圆针测中，是以机械视觉设备检测到起测点(first die)，再依循预先设定的测试范围对晶粒逐一进行测试。在上述的方法中，若起测点未被正确找到，则测试范围会偏移，造成测试结果的错误，称的为地图偏移(map shift)。

目前可以使用人工判断来解决此问题，以人工判断有否地图偏移现象，将每一个晶圆以人工目视的方法进行检查，此方法可以全面性的进行检查，需要有经验的技术人员方能有效操作，并且无法提出证据说明。

较有效的解决方法是预先设定记号晶粒(marking die)，此记号晶粒具有已知的晶粒状态，当记号晶粒的测试结果与已知的测试结果相异时，则判断起测点错误，发生地图偏移的问题。但此方法必须每项测试前预先设定记号晶粒，步骤增加的结果也会浪费时间，并且难以全面实施。

有鉴于以上缺失，本发明所提供的晶圆的测试方法与系统，乃针对现有技术加以改良。

发明内容

基于解决上述现有技术的缺失，本发明的一目的在于提供一晶圆的测试方法与系统，用以判断晶圆的测试过程中是否有地图偏移的现象。

本发明所提供的晶圆的测试方法无需预先设记号晶粒，可增加测试效率。

本发明的另一目的在于提供一晶圆的测试方法与系统，可以降低人力需求，减少时间并增加效率。

本发明的再一目的在于提供一晶圆的测试方法与系统，在地图偏移的情况发生时，发出信号以提示操作人员。

依据上述的目的，本发明首先提供一种晶圆的测试方法，是提供至少一晶圆，而晶圆上具有多个晶粒，每个晶粒皆有各自晶粒状态；接着进行晶圆的测试，根据测试结果定义晶圆的边界晶粒，边界晶粒状态与预先设定值进行比较，决定是否发出信息，用以提示操作人员。

本发明接着提供一种晶圆的测试系统，是包括测试装置，用以测试晶圆，晶圆则包括了多个晶粒，每个晶粒都有各自晶粒状态；测试结果会经由定义装置定义出边界晶粒；利用选择装置或标示装置在边界晶粒中选择出标的晶粒；再利用运算装置判定是否发出信息。

附图说明

图1是本发明的起测偏移示意图；

图2是本发明一较佳实施例的边界晶粒定义示意图；

图3是本发明一较佳实施例的判断地图偏移示意图；

图4是本发明一较佳实施例的判断地图偏移示意图；

图5是本发明一较佳实施例的判断地图偏移示意图；其中：

图5a是将边界晶粒Y分为左右两个相对群组；

图5b是将边界晶粒Y分为上下两个相对群组；

图5c是将边界晶粒Y分为右上与左下两个相对群组；

图5d是将边界晶粒Y分为左上与右下两个相对群组。

【主要元件符号说明】

1晶粒状态(可用)

3晶粒状态(短路)

4晶粒状态(开路)

100晶圆

102晶粒

110测量范围

112测试图

Y边界晶粒

Y1标的晶粒

A1-A4边界晶粒群组

具体实施方式

由于本发明是一种晶圆的测试方法与系统，其中所利用到的一些基本原理，属于该领域具有通常知识的人士所能轻易理解的，因此不再赘述。而以下文中所对照的图式，是表达与本发明特征相关的示意，并未亦不需要依据实际尺寸完整绘制，说明在先。