[发明专利]磁头特性评估方法无效

专利信息
申请号: 200810003884.0 申请日: 2008-01-28
公开(公告)号: CN101251998A 公开(公告)日: 2008-08-27
发明(设计)人: 泽田稔 申请(专利权)人: 富士通株式会社
主分类号: G11B5/455 分类号: G11B5/455
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 代理人: 黄纶伟
地址: 日本神奈*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 磁头 特性 评估 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及利用测量设备测量磁头的规定特性,从而评估磁头的特性的方法。

背景技术

通常,磁头的规定特性,例如读出元件的ρ-H特性,已经在出厂之前通过测量设备进行了评估。

ρ-H特性为读出元件的输出值(例如电压、电流强度、电阻)的经时变化特性,该输出值是在流过规定的感测电流的状态下对读出元件施加外部磁场时测量的。

日本特开平6-150264号公报公开了一种测量ρ-H特性的传统方法(检查磁阻效应磁头的传统方法)和用于测量ρ-H特性的设备(传统检查设备)。在所公开的测量ρ-H特性的方法中,向从晶片中切出的磁头块(原条(raw bar))中排列的读出元件(MR磁头)施加正弦波交流外部磁场,并且测量读出元件对于外部磁场变化的电磁转换特性。

图7为示出了ρ-H测量设备(MR磁头检查设备)的电路的示意框图。

在图7中,亥姆霍兹(Helmholtz)线圈(空心线圈)10向读出元件施加外部磁场,亥姆霍兹线圈10的主轴在竖直方向上平行。亥姆霍兹线圈(空心线圈)10与由控制计算机12控制的亥姆霍兹线圈电源11电连接。安装台13a位于亥姆霍兹线圈10之间,并且把原条14临时固定在安装台13a上。

原条14通过以下步骤生产:通过薄膜成形工艺在晶片上形成多个读出元件;沿读出元件的列把晶片切割成条;通过缝隙深度(gap depth)工艺对该条的悬浮表面进行抛光。因此,原条14包括多个读出元件。注意,原条14将被切割成单独的读出元件。

探针15能够接触原条14中包含的各读出元件的输出电极。

连接至探针15的探针电缆连接至恒流电源20,以使电流经由探针15流过电连接至电源20的读出元件。另外,显示读出元件的输出电压的示波器21和接收输出电压以进行分析的控制计算机12连接至探针电缆。

亥姆霍兹线圈电源11和恒流电源20被连接至控制计算机12,这样电源11和20被控制计算机12控制。

控制计算机12控制亥姆霍兹线圈电源11以对原条14中排列的读出元件施加正弦波交流外部磁场,并且通过探针15和探针电缆测量各读出元件的输出电压相对于外部磁场变化的变化(电磁转换特性)。

图8示出了测量和评估ρ-H特性的传统过程。

首先,将从晶片中切割出的原条14中形成的磁头放置在上述ρ-H测量设备中。然后,测量原条14中包含的各磁头的ρ-H特性(步骤S11)。将测量数据存储在控制计算机12的存储装置中(步骤S12)。

接着,基于规定的分类标准确定磁头的质量(步骤S13)。如果磁头满足分类标准,则将磁头出厂(步骤S14)。另一方面,如果磁头不满足分类标准,则对磁头的测量数据进行分析(步骤S15)。

在分析步骤(步骤S15)中,如果异常测量数据是由测量设备的故障或被测磁头的故障引起的,则分析该异常数据。  

注意,所述“测量设备的故障”包括:测量设备本身的故障;测量设备的外围装置(例如探针)的故障;测量设备的配置故障;以及测量设备的操作故障(例如探针15的接触不良)。

接着,确定测量数据的分析结果。

在这个步骤中,如果异常测量数据是由被测磁头的故障引起,则把包含该被测磁头的原条14和分离出该原条14的晶片当作次品而不出厂(步骤S17)。

另一方面,如果异常测量数据是由测量设备的故障引起,则修复故障(步骤S16),并且处理返回至步骤S11,以再次测量原条中的同一磁头的ρ-H特性。并再次执行步骤S11之后的步骤。

步骤S13中的用于检查磁头质量的分类标准不同于步骤S15中的用于确定异常测量数据的原因的分类标准。

因此,即使测量设备出现故障,在步骤S13中有时也会把磁头判定为合格品。在步骤S15中发现了测量设备的故障的情况下,尽管是由有故障的测量设备测量出的异常数据,也有可能在步骤S11中把执行步骤S15之前已经测量的磁头判定为合格品。

在步骤S15中检测到测量设备的故障的情况下,必须基于步骤S15的分类标准,检查在步骤S13中被判定为合格品的磁头是否存在故障。即,在传统的磁头特性评估方法中,如果由测量数据发现了测量设备的故障,则必须重新评估已经进行过特性评估的磁头的质量。

在已经进行过特性评估的磁头的测量数据趋向于指示测量设备存在故障的情况下,必须修复测量设备的故障,且必须对磁头进行重新评估。

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