[发明专利]一种采用化学镀制造半导体装置的方法有效
申请号: | 200810005020.2 | 申请日: | 2008-01-29 |
公开(公告)号: | CN101276730B | 公开(公告)日: | 2008-10-01 |
发明(设计)人: | 冯涛;孙明;何约瑟;刘凯 | 申请(专利权)人: | 万国半导体股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/30;H01L21/3205;H01L21/78;H01L21/301 |
代理公司: | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人: | 王敏杰 |
地址: | 百慕大哈密尔*** | 国省代码: | 百慕大群岛;BM |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 采用 化学 制造 半导体 装置 方法 | ||
1.一种采用化学镀法制造半导体装置的方法,其特征在于,包括以下步骤:
层压晶圆后表面和保护带;
化学镀所述的晶圆;
层压所述的保护带和第二保护带;
切割所述的晶圆;
拾取晶片。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述层压晶圆后表面和保护带的步骤还包括如下步骤:
在层压晶圆后表面和保护带的同时安装一个框架;
在晶圆外围及保护带上与晶圆外围相邻的暴露区域上涂抹保护涂层,所述的保护涂层、所述的保护带和所述的晶圆构成一个被保护的晶圆基片;
被保护的晶圆基片连同框架和保护带一起在烤炉中被加工,以凝固并增加保护涂层的粘合力;
从保护带中围绕保护涂层的区域上切割所述的被保护的晶圆基片。
3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述的保护带包括一个切割带。
4.如权利要求2所述的方法,其特征在于,所述的保护涂层包括抗蚀物或四氯化物为基础的化学物。
5.如权利要求2所述的方法,其特征在于,所述的晶圆外围包括从晶圆边缘向内延伸1mm-3mm的部分。
6.如权利要求2所述的方法,其特征在于,所述的保护带上的暴露区域从晶圆边缘向外延伸2mm-6mm。
7.一种采用化学镀法制造半导体装置的方法,其特征在于,包括以下步骤:
利用紫外线放射粘结剂来层压晶圆后表面和保护带;
化学镀所述的晶圆;
将被保护的晶圆放置在切割装置上;
切割所述的晶圆;
紫外线照射所述的晶圆;
拾取晶片。
8.如权利要求7所述的方法,其特征在于,所述层压晶圆后表面和保护带的步骤还包括以下步骤:
在层压晶圆后表面和保护带的同时安装一个框架;
在晶圆外围及保护带上与晶圆外围相邻的暴露区域上涂抹保护涂层,所述的保护涂层、所述的保护带和所述的晶圆构成一个被保护的晶圆基片;
被保护的晶圆基片连同框架和保护带一起在烤炉中被加工,以凝固并增加保护涂层的粘附力;
从保护带中围绕保护涂层的区域上切割所述的被保护的晶圆基片。
9.如权利要求7所述的方法,其特征在于,所述的保护带包括切割带。
10.如权利要求8所述的方法,其特征在于,所述的保护涂层包括抗蚀物或四氯化物为基础的化学物。
11.如权利要求10所述的方法,其特征在于,所述的晶圆外围包括从晶圆边缘向内延伸1mm-3mm的部分。
12.如权利要求11所述的方法,其特征在于,所述的保护带上的暴露区域从晶圆边缘向外延伸2mm-6mm。
13.如权利要求7所述的方法,其特征在于,所述的切割装置包括一个可透射紫外线的卡盘。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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