[发明专利]一种采用化学镀制造半导体装置的方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种制作半导体装置的方法，特别涉及一种在化学镀(即化学沉积法)及切割镀层晶圆为独立晶片过程中保护晶圆后表面的方法。

背景技术

化学镀镍和化学沉积法掺杂金方法被广泛应用于在晶圆前表面的铝合金衬垫上沉积镍/金涂层，而不需要掩盖物或电镀电流。这是一个需要付出成本的有效途径，为铜电线焊接提供一个坚硬的外层，为回形焊接和芯片封装提供一个潮湿的焊接面和扩散屏障。

在化学镀镍过程中，晶圆的后表面需要覆盖一个绝缘层以避免镍电镀，通常在该区域的附着力较低。多余的电镀浪费镍并且减少电镀溶液的使用寿命。此外，若引入的晶圆在其后表面有金属层，如银层，将会产生对后表面金属的腐蚀以及对电镀化学品的污染。抗蚀层通常被用于保护晶圆的后表面。然而，这种方法必须包含一个抗蚀物涂抹过程和一个抗蚀物脱模过程。后一过程可能包括额外的清洁步骤以除去残余的抗蚀物。这一复杂过程降低了产品的生产量，并且提高了总成本。

在另一种方法中，一个暂时性保护胶带在化学镀(化学沉积法)前被用于晶圆的后表面。然而，在化学腐蚀下这种带子的黏合性通常很差，并且可能导致晶圆周围区域中保护带严重分解的问题，进而给电镀化学品带来污染。加之这些使用和除去保护带的额外步骤将会增加成本，并且增加晶圆，特别是相对较薄的晶圆发生爆裂或开裂的机会。

因此本技术领域需要一种采用化学镀(化学沉积法)来制造半导体装置的方法，以克服先前技术的不足和缺陷。该方法进一步的提供了一个简单的生产流程，该流程具有较好的保护效果、高生产量和低成本。

发明内容

根据本发明的一个方面，一种采用化学镀(化学沉积法)来制造半导体装置的方法包括以下步骤：

层压晶圆后表面和一个具有保护带的框架；

在晶圆外围区域与保护带邻接暴露区域上涂抹保护涂层；

保护涂层和晶圆形成一个被保护的晶圆基片；

加工被框架支撑的保护涂层以增加保护涂层的粘结力；

从保护带围绕的保护涂层上切割被保护的晶圆基片；

化学镀(化学沉积法)被保护的晶圆基片；

层压被保护的晶圆基片具有保护带的一侧和第二个保护带；

切割晶圆变成单独的晶片；

从用于固定晶片的保护带上拾取晶片。

根据本发明的另一方面，一种采用化学镀(化学沉积法)来制造半导体装置的方法包括以下步骤：

采用紫外线释放粘结剂来层压晶圆后表面和一个具有保护带的框架；

在晶圆外围区域及保护带邻接暴露区域上涂抹保护涂层；

保护涂层和晶片形成一个被保护的晶圆基片；

加工框架、保护涂层和被保护的晶圆基片以增加保护涂层的粘结力；

从保护带围绕的保护涂层上切割被保护的晶圆基片；

化学镀(化学沉积法)被保护的晶圆基片；

将被保护的晶圆基片装载在一个除去保护带支撑的切割设备上；

切割被保护的晶圆基片变成单独的晶片；

紫外线照射保护带以减小粘结力；

从用于固定晶片的保护带上拾取晶片。

根据本发明的另一方面，如果保护带的粘结层在湿处理过程中可以抵抗化学腐蚀，则上述方法中的涂抹保护涂层步骤和加工步骤可以省略。如上所述，则也可以直接在保护带上切割晶圆。

以上大略描述了本发明的较重要的技术特征，从而使其后的详细叙述可以被更好的理解，使本发明对本技术领域的贡献可以被更好的认可。当然，本发明的其他技术特征将会在以下详细描述并形成相应的从属权利要求。

在阐述本发明至少一个实施例之前，本发明应该被理解为不尽限于其说明书及附图所公开的功能组成和这些功能组成经排列组合的范围。本发明可以被其他实施例实现，并且可以以多种方式实施。同样地，在此所用的措辞和术语连同摘要应被理解为描述目的，而不应该被理解为限制目的。

同样的，本领域的技术人员利用本发明所公开的原理为基础可以以其他方式实现本发明的目的。因此，权利要求应被认为包括其范围内的这些等同的结构，应为它们并未脱离本发明的精神和范围。

附图说明

结合本发明的以下附图和详细的具体实施例，可以看出本发明所公开的各个方面及其技术特征有别于本领域的现有技术。

图1是根据本发明的一种采用化学镀(化学沉积法)制造半导体装置的方法的流程图；

图2是根据本发明的晶圆附着保护带和框架的结构示意图；

图3是根据本发明的如图2所示的晶圆的外围覆盖有保护涂层的结构示意图；

图4是根据本发明的被保护的晶圆基片在被切割后的结构示意图；