[发明专利]快闪存储器及其制造方法

权利要求书

1.一种快闪存储器的制造方法，包括：

提供基底，该基底中已形成有多个隔离结构，所述隔离结构的顶部高于该基底，且相邻的所述隔离结构之间形成多个开口；

于所述开口内依序形成第一硅半导体层和第二硅半导体层；

移除所述隔离结构的一部份，使所述隔离结构的顶部低于该第二硅半导体层的顶部；

于该第一硅半导体层上形成硅晶粒层；

于该基底上形成栅间介电层；以及

于该基底上形成控制栅极，并图案化该硅晶粒层、该第一硅半导体层以及该第二硅半导体层以形成浮置栅极。

2.根据权利要求1所述的快闪存储器的制造方法，其中于所述开口内依序形成第一硅半导体层和第二硅半导体层的方法包括：

于该基底上形成该第一硅半导体层；

于该基底上形成该第二硅半导体层，该第二硅半导体层填满所述开口；以及

移除所述开口以外的该第一硅半导体层和该第二硅半导体层。

3.根据权利要求2所述的快闪存储器的制造方法，其中该第一硅半导体层的材料包括未掺杂的非晶硅、未掺杂的多晶硅或未掺杂的单晶硅。

4.根据权利要求2所述的快闪存储器的制造方法，其中该第二硅半导体层的材料包括掺杂的非晶硅、掺杂的多晶硅或掺杂的单晶硅。

5.根据权利要求2所述的快闪存储器的制造方法，其中移除所述开口以外的该第一硅半导体层和该第二硅半导体层的方法包括化学机械研磨法。

6.根据权利要求1所述的快闪存储器的制造方法，其中该硅晶粒层的形成方法包括低压化学气相沉积法。

7.根据权利要求1所述的快闪存储器的制造方法，其中所述隔离结构的形成方法包括：

于该基底上依序形成穿隧介电层和掩模层；

图案化该掩模层和该穿隧介电层，而于该基底中形成多个沟渠；

于该基底上形成绝缘层，该绝缘层填满所述沟渠；

移除所述沟渠以外的该绝缘层；以及

移除该掩模层。

8.根据权利要求7所述的快闪存储器的制造方法，其中于该基底上形成穿隧介电层的步骤后以及于该基底上形成掩模层的步骤前，还包括于该基底上形成导体层。

9.根据权利要求8所述的快闪存储器的制造方法，其中图案化该掩模层和该穿隧介电层的步骤还包括图案化该导体层。

10.根据权利要求8所述的快闪存储器的制造方法，其中图案化该硅晶粒层、该第一硅半导体层以及该第二硅半导体层的步骤还包括图案化该导体层。

11.根据权利要求8所述的快闪存储器的制造方法，其中该导体层的材料包括掺杂的非晶硅、掺杂的多晶硅或掺杂的单晶硅。

12.根据权利要求7所述的快闪存储器的制造方法，其中该穿隧介电层的材料包括氧化硅。

13.根据权利要求7所述的快闪存储器的制造方法，其中该掩模层的材料包括氮化硅。

14.根据权利要求7所述的快闪存储器的制造方法，其中该绝缘层的材料包括氧化硅。

15.根据权利要求7所述的快闪存储器的制造方法，其中形成该绝缘层的方法包括化学气相沉积法。

16.根据权利要求7所述的快闪存储器的制造方法，其中移除所述沟渠以外的该绝缘层的方法包括化学机械研磨法。

17.根据权利要求1所述的快闪存储器的制造方法，其中该栅间介电层的材料包括氧化硅/氮化硅/氧化硅。

18.根据权利要求1所述的快闪存储器的制造方法，其中该控制栅极的材料包括掺杂的多晶硅。

19.一种快闪存储器，配置于基底上，包括：

多个隔离结构，配置于该基底中，所述隔离结构的顶部高于该基底；

浮置栅极，配置于所述隔离结构之间的该基底上，该浮置栅极的顶部高于所述隔离结构，该浮置栅极包括：

第一硅半导体层，配置于该基底上，具有凹状结构；

第二硅半导体层，配置于该凹状结构中；以及

硅晶粒层，配置于该第一硅半导体层上；

栅间介电层，配置于该浮置栅极上；以及

控制栅极，配置于该栅间介电层上。