[发明专利]半导体装置、半导体装置的制造方法以及电子设备有效
申请号: | 200810005529.7 | 申请日: | 2008-02-04 |
公开(公告)号: | CN101241917A | 公开(公告)日: | 2008-08-13 |
发明(设计)人: | 小平泰明 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L23/00;H01L21/77;H01L21/78;H01L21/84;G02F1/1362 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 | 代理人: | 李峥;陈海红 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 制造 方法 以及 电子设备 | ||
1.一种半导体装置,其特征在于,具备:
至少在表面具有树脂层的基板;
设置在上述基板上的薄膜电路层;以及
在上述基板的表面上以包围上述薄膜电路层的方式设置的增强部。
2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于:
上述增强部是设置在上述基板的表面的凸条。
3.根据权利要求1或者2所述的半导体装置,其特征在于:
上述增强部设置有多个。
4.根据权利要求1~3中的任意一项所述的半导体装置,其特征在于:
上述基板是矩形的;
上述增强部设置在包含有上述基板的角部的区域。
5.一种半导体装置的制造方法,其特征在于,包括:
在至少在表面具有树脂层的基板上,
形成多个薄膜电路层的第1工序;
以包围上述多个薄膜电路层的各个的方式形成多个增强部的第2序;以及
通过在相邻的上述多个增强部的各个之间切割上述基板而将上述多个薄膜电路层分割为各个的第3工序。
6.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法,其特征在于:
在与上述基板不同的元件基板上形成上述增强部,并且通过转印将上述增强部形成在上述基板上。
7.一种半导体装置的制造方法,其特征在于,包括:
在具有表面层的第1基板上形成薄膜电路层的第1工序;
在包围上述薄膜电路层的上述表面层形成增强部的第2工序;
在至少在表面具有树脂层的第2基板上转印上述薄膜电路层以及上述表面层的第3工序。
8.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法,其特征在于:
上述增强部是设置在上述基板的表面的凸条。
9.根据权利要求7或8所述的半导体装置的制造方法,其特征在于:
设置有多个上述增强部。
10.一种半导体装置,其特征在于:利用权利要求7~9中的任意一项所述的半导体装置的制造方法制造而成。
11.一种电子设备,其特征在于:安装有权利要求1~4、10中的任意一项所述的半导体装置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的