[发明专利]半导体装置、半导体装置的制造方法以及电子设备有效
申请号: | 200810005529.7 | 申请日: | 2008-02-04 |
公开(公告)号: | CN101241917A | 公开(公告)日: | 2008-08-13 |
发明(设计)人: | 小平泰明 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L23/00;H01L21/77;H01L21/78;H01L21/84;G02F1/1362 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 | 代理人: | 李峥;陈海红 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 制造 方法 以及 电子设备 | ||
技术领域
本发明涉及半导体装置、半导体装置的制造方法以及电子设备。
背景技术
薄膜电路装置、液晶装置等半导体装置在基板表面具有包含半导体元件等的薄膜电路层。一般而言,将单结晶硅晶片、石英玻璃基板、耐热玻璃基板、树脂膜、不锈钢基板等作为基板的材料使用。对于基板使用了树脂膜的半导体装置,因为基板自身薄,具有可挠性,所以在能够提供轻量且具备柔软性的半导体装置这一点上是有意义的(例如,参照专利文献1)。
在制造这种半导体装置时,采取在母基板上形成多个薄膜电路层并将母基板分割为每一个该薄膜电路层的、称为多图案形成(多面取り)的手段。此外,由于树脂膜的耐热性比较低,直接形成薄膜电路层困难,所以也有转印已制作在玻璃基板上的薄膜电路层来形成的情况。一般而言,薄膜电路层的弹性常数是数十GPa左右,线膨胀系数是数~数十ppm/K左右。另一方面,树脂膜的弹性常数是数GPa左右,线膨胀系数是10~50ppm/K左右。
[专利文献1]特开平10-125929号公报
但是,在这种半导体装置中,存在有基板的端部在分离为各个半导体装置时包含微小的裂缝、缺口等的情况。如果应力集中在这样的部位,则存在裂缝扩大到薄膜电路层、薄膜电路层断裂的可能性。因薄膜电路层断裂,会引起半导体装置的动作不良。因此,需要能够防止这种薄膜电路层的断裂并能够确保高的可靠性的技术。
发明内容
鉴于上述问题,本发明的目的在于提供一种能够确保高的可靠性的半导体装置、半导体装置的制造方法以及电子设备。
为了实现上述目的,本发明的半导体装置其特征在于,具备:至少在表面具有树脂层的基板;设置在上述基板上的薄膜电路层;以及在上述基板的表面上以包围上述薄膜电路层的方式设置的增强部。
如果采用本发明,则因为增强基板的增强部在该基板的表面上以包围薄膜电路层的方式设置,所以在设置有增强部的区域,基板的强度得到提高。因此,例如在通过多图案形成而形成半导体装置的情况下,能够防止在基板分离时形成的微小的裂缝、缺口等扩大到薄膜电路层。由此,能够得到可确保高的可靠性的半导体装置。
上述半导体装置其特征在于:上述增强部是设置在上述基板的表面的凸条。
如果采用本发明,则因为增强部是设置在基板的表面的凸条,所以设置有增强部的区域的厚度比其他区域厚。由此,能够使该区域的基板的强度提高。
上述半导体装置其特征在于:上述增强部设置有多个。
如果采用本发明,则因为增强部设置有多个,所以能够多重保护从基板的端部开始的裂缝、缺口等。由此,能够进一步可靠地防止薄膜电路层的断裂。
上述半导体装置其特征在于:上述基板是矩形的;上述增强部设置在包含有上述基板的角部的区域。
在通过多图案形成分割为多个矩形基板的情况下,在矩形基板的角部特别容易形成裂缝、缺口等。如果采用本发明,则因为增强部设置在矩形的基板的包含角部的区域,所以能够进一步可靠地防止裂缝、缺口等扩大到薄膜电路层。
本发明的半导体装置的制造方法其特征在于,包括:在至少在表面具有树脂层的基板上,形成多个薄膜电路层的第1工序;以包围上述多个薄膜电路层的各个的方式形成多个增强部的第2工序;以及通过在相邻的上述多个增强部的各个之间切割上述基板而将上述多个薄膜电路层分割为各个的第3工序。
如果采用本发明,则因为在至少在表面具有树脂层的基板上形成多个薄膜电路层并且以包围该多个薄膜电路层的各个的方式形成多个增强部之后,通过在相邻的多个增强部的各个之间切割基板而将多个薄膜电路层分割为各个,所以,能够利用增强部防止在切割基板时产生的裂缝、缺口等扩大到薄膜电路层的区域。由此,因为能够可靠地防止薄膜电路层断裂,所以能够制造具有高的可靠性的半导体装置。
上述半导体装置的制造方法其特征在于:在与上述基板不同的元件基板上形成上述增强部,并且通过转印将上述增强部形成在上述基板上。
如果采用本发明,则因为在与基板不同的元件基板上形成增强部,并且通过转印将该增强部形成在基板上,所以能够容易地形成该增强部。
本发明的半导体装置的制造方法其特征在于,包括:在具有表面层的第1基板上形成薄膜电路层的第1工序;在包围上述薄膜电路层的上述表面层上形成增强部的第2工序;在至少在表面具有树脂层的第2基板上转印上述薄膜电路层以及上述表面层的第3工序。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的