[发明专利]加工对象物的切断方法有效
申请号: | 200810005548.X | 申请日: | 2008-02-15 |
公开(公告)号: | CN101409256A | 公开(公告)日: | 2009-04-15 |
发明(设计)人: | 坂本刚志 | 申请(专利权)人: | 浜松光子学株式会社 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;B23K26/00;B23K26/40;B23K26/16;B23K101/40 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙 淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 加工 对象 切断 方法 | ||
1.一种加工对象物的切断方法,其特征在于,
通过将板状的加工对象物沿切断预定线切断而制造多个芯片,
该加工对象物的切断方法包括:
通过向所述加工对象物照射激光,在所述加工对象物上沿所述切 断预定线形成改质区域的工序;
通过使贴在所述加工对象物上的第1薄片进行扩张,从而以所述 改质区域作为切断起点使所述加工对象物被切断而得到的所述芯片的 每一个在所述第1薄片上相互分开的工序;
带电工序,在使所述芯片的每一个在所述第1薄片上相互分开的 状态下,至少使所述第1薄片带正电或负电。
2.如权利要求1所述的加工对象物的切断方法,其特征在于,
在所述带电工序中,至少向所述第1薄片照射可带电的第1离子 流。
3.如权利要求2所述的加工对象物的切断方法,其特征在于,
在所述带电工序中,将第2薄片配置为与所述第1薄片夹着所述 芯片而相对,并且至少在所述芯片和所述第2薄片之间的区域产生可 消除静电的第2离子流。
4.如权利要求2所述的加工对象物的切断方法,其特征在于,
在所述带电工序中,将第2薄片配置为与所述第1薄片夹着所述 芯片而相对,并且至少向所述第2薄片照射可与所述第1离子流极性 相反地带电的第2离子流。
5.如权利要求2所述的加工对象物的切断方法,其特征在于,
在使所述芯片的每一个在所述第1薄片上相互分开的工序中和所 述带电工序中,使所述芯片的每一个在所述第1薄片上相互分开,并 且在将至少覆盖所述芯片之间的分开部分的第2薄片、以与所述第1 薄片夹着所述芯片而相对的方式配置的状态下,至少向所述第1薄片 照射所述第1离子流。
6.如权利要求2所述的加工对象物的切断方法,其特征在于,
在使所述芯片的每一个在所述第1薄片上相互分开的工序中和所 述带电工序中,使所述芯片的每一个在所述第1薄片上相互分开,并 且在将至少覆盖所述芯片之间的分开部分的多孔质的第2薄片、以与 所述第1薄片夹着所述芯片而相对的方式配置的状态下,至少向所述 第1薄片照射所述第1离子流,且通过吸引装置隔着所述第2薄片至 少对所述分开部分进行吸引。
7.如权利要求2所述的加工对象物的切断方法,其特征在于,
在所述带电工序中,将所述芯片以及所述第1薄片配置为,在垂 直方向上所述第1薄片相对于所述芯片位于上侧。
8.如权利要求2所述的加工对象物的切断方法,其特征在于,
在所述带电工序中,以所述第1薄片为基准,从配置有所述芯片 的一侧的相反侧向所述第1薄片照射所述第1离子流。
9.如权利要求1所述的加工对象物的切断方法,其特征在于,
在使所述芯片的每一个在所述第1薄片上相互分开的工序中,将 所述加工对象物切断为所述芯片,并且使所述加工对象物的形成物质 以及所述第1薄片中的至少一者的带电量为一定。
10.如权利要求1所述的加工对象物的切断方法,其特征在于,
所述加工对象物具有半导体基板,所述改质区域包含熔融处理区 域。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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