[发明专利]加工对象物的切断方法

说明书

技术领域

本发明涉及通过沿切断预定线切断板状加工对象物而制造多个芯 片的加工对象物的切断方法。

背景技术

作为上述领域的现有技术，在日本特开2007-142206号公报中公开 了如下技术：在对形成有成为切断的起点的改质区域的板状的加工对 象物经由薄板施加应力时，消除加工对象物的形成物质(将形成加工 对象物的物质或已形成加工对象物的物质)的静电。此外，在日本特 开昭63-260407号公报中公开了如下技术：在对形成有划线(scribe line) 的板状加工对象物经由薄板施加应力时，吹送用于静电中和的离子气 的技术。此外，在日本特开2007-141997号公报中公开了利用静电吸附 除去附着于芯片表面的微粒的技术。

发明内容

若采用上述的日本特开2007-142206号公报所公开的技术，将改质 区域作为切断的起点切断加工对象物时，从芯片的切断面剥落的微粒 不会自由地飞散，而是例如落在薄板上。因此，可以可靠地防止从芯 片的切断面剥落的微粒附着于芯片的功能元件等上。

然而，当芯片的切断面上残留有微粒时，在其后的搬运工序中， 存在微粒从芯片的切断面剥落而附着于芯片的功能元件等上的可能 性。而采用上述日本特开昭63-260407号公报公开的技术或日本特开 2007-141997号公报所公开的技术，在芯片的切断面上形成有改质区域 的情况下，也很难除去残留在芯片的切断面上的微粒。

因此，本发明正是针对上述问题而完成的，其目的在于提供一种 可以可靠地除去残留在芯片切断面上的微粒的加工对象物的切断方 法。

为了达到上述目的，本发明所涉及的加工对象物的切断方法为， 通过将板状加工对象物沿切断预定线切断而制造多个芯片的加工对象 物的切断方法，其特征在于包括切断工序和带电工序。其中，在加工 工序中，通过向加工对象物照射激光，在加工对象物上沿切断预定线 形成改质区域，以改质区域为切断的起点，将加工对象物切断为芯片。 在带电工序中，在使芯片的每一个在第1薄片上相互分开的状态下， 至少向第1薄片照射可带电的第1离子流。

此外，本发明所涉及的加工对象物的切断方法为，通过将板状加 工对象物沿切断预定线切断而制造多个芯片的加工对象物的切断方 法，其特征在于包括切断工序和带电工序。其中，在加工工序中，通 过向加工对象物照射激光，在加工对象物上沿切断预定线形成改质区 域，以改质区域为切断的起点，将加工对象物切断为芯片。在带电工 序中，在使芯片的每一个在第1薄片上相互分开的状态下，至少使第1 薄片带电。

在这些加工对象物的切断方法中，通过沿切断预定线切断板状加 工对象物而得到多个芯片，在其每一个在第1薄片上相互分开的状态 下，至少使第1薄片带电。通过这种电的作用，即使在芯片的切断面 上形成有改质区域，残留于芯片切断面上的微粒也会从芯片的切断面 射出。因此，利用这些加工对象物的切断方法，可以可靠地除去残留 在芯片切断面上的微粒。

在此，通过向加工对象物照射激光，在加工对象物中产生多光子 吸收以及其以外的光吸收，从而形成成为切断的起点的改质区域。此 外，离子流的含义为包含正离子以及负离子的至少其一的多个离子的 聚集。

在本发明所涉及的加工对象物的切断方法中，优选在带电工序中， 将第2薄片配置为与第1薄片夹着芯片而相对，且至少在芯片和第2 薄片之间的区域产生可消除静电的第2离子流。

在本发明所涉及的加工对象物的切断方法中，优选在带电工序中， 将第2薄片配置为与第1薄片夹着芯片而相对，且至少向第2薄片照 射可与第1离子流相反极性地带电的第2离子流。

在本发明所涉及的加工对象物的切断方法中，优选在带电工序中， 使芯片的每一个在第1薄片上相互分开，并且将至少覆盖芯片之间的 分开部分的第2薄片、以与第1薄片夹着芯片而相对的方式配置的状 态下，至少向第1薄片照射第1离子流。

在本发明所涉及的加工对象物的切断方法中，优选在带电工序中， 使芯片的每一个在第1薄片上相互分开，并且在将至少覆盖芯片之间 的分开部分的多孔质的第2薄片、以与第1薄片夹着芯片而相对的方 式配置的状态下，至少向第1薄片照射第1离子流，且隔着第2薄片 至少对分开部分进行吸引。