[发明专利]电光装置用基板、电光装置以及电子设备无效

专利信息
申请号: 200810005603.5 申请日: 2008-02-05
公开(公告)号: CN101241285A 公开(公告)日: 2008-08-13
发明(设计)人: 石井达也 申请(专利权)人: 精工爱普生株式会社
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;H01L27/12;H01L21/60
代理公司: 北京市中咨律师事务所 代理人: 李峥;于静
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 电光 装置 用基板 以及 电子设备
【权利要求书】:

1.一种电光装置用基板,其特征在于,具备:

基板;

设置在上述基板上的多条数据线;

分别在构成上述基板上的像素区域的多个像素中形成的多个像素电极;

在将上述多个像素的各个的开口区域相互隔开的非开口区域中沿着上述数据线延伸的第1方向延伸的一个区域中、沿着上述第1方向形成并且沿着与上述第1方向交叉的第2方向与上述一个区域相邻并且沿着上述第1方向错开1个像素量地形成并且具有半导体层的元件部,该半导体层包含:(i)与上述多条数据线中、在上述一个区域中沿着上述第1方向延伸的一条数据线电气连接的第1数据线侧源漏区域,(ii)沿着上述第1方向位于上述第1数据线侧源漏区域的两侧的第1沟道区域以及第2沟道区域,(iii)从上述第1数据线侧源漏区域看、沿着上述第1方向位于上述第1沟道区域以及第2沟道区域的各个的外侧并且与上述多个像素电极中相互不同的第1像素电极以及第2像素电极的各个电气连接的第1像素电极侧源漏区域以及第2像素电极侧源漏区域,(iv)形成在上述第1沟道区域以及上述第1数据线侧源漏区域之间的第1接合区域,(v)形成在上述第1沟道区域以及上述第1像素电极侧源漏区域之间的第2接合区域,(vi)形成在上述第2沟道区域以及上述第1数据线侧源漏区域之间的第3接合区域,(vii)形成在上述第2沟道区域以及上述第2像素电极侧源漏区域之间的第4接合区域;

在上述半导体层的上层侧、沿着上述第1方向形成并且覆盖上述第1接合区域的第1遮光部;

在上述半导体层的上层侧形成、覆盖上述第2接合区域并且其上述第2方向的宽度比上述第1遮光部宽的第2遮光部;

在上述半导体层的上层侧、沿着上述第1方向形成并且覆盖上述第3接合区域的第3遮光部;以及

在上述半导体层的上层侧形成、覆盖上述第4接合区域并且其上述第2方向的宽度比上述第3遮光部宽的第4遮光部;

其中,上述第1像素电极以及上述第2像素电极分别配置在上述多个像素中、形成有上述第1遮光部以及第3遮光部并沿着上述第2方向相互相邻的像素中。

2.根据权利要求1所述的电光装置用基板,其特征在于:上述第1至第4接合区域的各个是LDD区域。

3.根据权利要求1或者2所述的电光装置用基板,其特征在于:上述第1至第4遮光部的各个配置在上述元件部的正上方。

4.根据权利要求1至3的任意一项所述的电光装置用基板,其特征在于:

上述第1以及第2遮光部构成第1电容元件,该第1电容元件具有一对第1电容电极以及夹持在该一对第1电容电极之间的第1电介质膜;

上述第3以及第4遮光部构成第2电容元件,该第2电容元件具有一对第2电容电极以及夹持在该一对第2电容电极之间的第2电介质膜;

上述第1电容元件,在图像信号经由上述一条数据线被提供给上述第1像素电极时,保持上述第1像素电极的电位;

上述第2电容元件,在图像信号经由上述一条数据线被提供给上述第2像素电极时,保持上述第2像素电极的电位。

5.根据权利要求4所述的电光装置用基板,其特征在于:在上述一对第1和第2电容电极中,至少其中任意一个一对电容电极包含导电性遮光膜而构成。

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