[发明专利]电光装置用基板、电光装置以及电子设备无效
申请号: | 200810005603.5 | 申请日: | 2008-02-05 |
公开(公告)号: | CN101241285A | 公开(公告)日: | 2008-08-13 |
发明(设计)人: | 石井达也 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;H01L27/12;H01L21/60 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 | 代理人: | 李峥;于静 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电光 装置 用基板 以及 电子设备 | ||
技术领域
本发明涉及在例如液晶装置等电光装置中使用的电光装置用基板、具备该电光装置用基板而构成的电光装置以及具备该电光装置的、例如液晶投影机等电子设备的技术领域。
背景技术
作为这种电光装置的一例的液晶装置,不仅用作直视型显示器,而且还多用作例如投影型显示装置的光调制单元(光阀)。特别是在投影型显示装置的情况下,因为来自光源的强光会入射到液晶光阀,所以将作为遮挡入射光的遮光单元的遮光膜内置在液晶光阀中,使得液晶光阀内的薄膜晶体管(TFT:Thin Film Transistor)不会因该光而发生泄漏电流的增大、误动作等。有关这样的遮光单元或遮光膜,例如专利文献1公开了在TFT的沟道区域中利用作为栅电极发挥作用的扫描线来进行遮光的技术。如果采用专利文献2,则通过设置形成在沟道区域上的多个遮光膜和吸收内面反射光的层来减少到达TFT的沟道区域的光。专利文献3公开了可以实现TFT的适宜动作的确保以及扫描线的窄小化并且极力减少入射到TFT的沟道区域的入射光的技术。
另一方面,在这种电光装置中,在基板上的形成有遮光膜的区域,即基板上的不使光透过的区域,设置通过暂时保持被提供给像素电极的图像信号而将像素电极的电位保持一定时间的保持电容。这样的保持电容,将作为该保持电容的构成要素的电极兼用作遮光膜,从而还能够对TFT进行遮光。
[专利文献1]特开2004-4722号公报
[专利文献2]专利3731447号公报
[专利文献3]特开2003-262888号公报
但是,在光照射到形成于沟道区域和源漏区域之间的、例如LDD(Lightly Doped Drain,轻掺杂漏)区域等接合区域的情况下,存在着有可能会在接合区域产生光泄漏电流这样技术上的问题。对于这样的问题,虽然考虑在沟道区域的两侧的各自的接合区域上设置遮光单元,但会使像素的实质上光透过的开口区域变窄这样的结果,从显示性能的观点来看并不理想。另一方面,本申请的发明人推想,在光照射到形成于与像素电极连接的源漏区域和沟道区域之间的接合区域的情况下,与光照射到形成于与数据线连接的源漏区域和沟道区域之间的接合区域的情况相比,要容易产生TFT的光泄漏电流。
加之,如果为了降低光泄漏电流而改变对像素开关用TFT等半导体元件进行遮光的遮光膜的图案,则还会存在将导致各像素的开口率的下降或者显示图像的对比度的下降,并且使电光装置的显示性能下降的技术上的问题。
另一方面,在这种电光装置中,以实现装置的小型化以及显示图像的高精细化为目的,还存在着对于像素的窄间距化的要求。
进而,为了实现高品质的图像显示,希望没有各像素的显示特性的参差不齐。
发明内容
本发明就是鉴于上述问题等而提出的,其目的在于提供一种在例如作为以有源矩阵方式驱动的液晶装置等电光装置、能够有效地降低TFT中的光泄漏电流的产生、能够实现高开口率以及显示图像的高精细化并且能够降低各像素中的显示特性的参差不齐的电光装置中使用的电光装置用基板、具备有这样的电光装置用基板的电光装置以及电子设备。
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