[发明专利]薄型晶体管结构和动态随机存取存储器及其制造方法无效

专利信息
申请号: 200810005689.1 申请日: 2008-02-15
公开(公告)号: CN101510550A 公开(公告)日: 2009-08-19
发明(设计)人: 陈伟钧 申请(专利权)人: 茂德科技股份有限公司
主分类号: H01L27/108 分类号: H01L27/108;H01L23/522;H01L29/786;H01L21/8242;H01L21/768;H01L21/336
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 彭久云
地址: 中国台湾新*** 国省代码: 中国台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 晶体管 结构 动态 随机存取存储器 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种具有薄型晶体管结构的动态随机存取存储器,其包括:

多个薄型晶体管,每一所述晶体管位于有源区中,并包括漏极区、源极区以及栅极区,其中所述漏极区与所述源极区位于所述栅极区的同一侧,两者为上下关系配置,且所述源极区位于大倾角注入区中;以及

深埋层连接区,设于所述有源区;

其中每一所述晶体管的漏极区通过所述深埋层连接区相互连接,形成位线。

2.如权利要求1所述的动态随机存取存储器,其中每一所述晶体管还包括晶体管沟道,该晶体管沟道位于所述漏极区与所述源极区之间,且邻靠所述栅极区。

3.如权利要求2所述的动态随机存取存储器,其中所述漏极区位于所述源极区的正下方。

4.一种具有薄型晶体管结构的动态随机存取存储器的制造方法,包括:

形成深埋层连接区于基材的有源区中;

形成大倾角注入区于所述基材的表面下方;

形成多个源极区于所述大倾角注入区中;以及

进行蚀刻工艺,于所述有源区形成多个深凹槽,所述深凹槽的蚀刻深度达所述深埋层连接区,以于邻靠所述深凹槽侧面的所述深埋层连接区中分别形成漏极区,其中位于同一深凹槽同一侧的所述源极区与所述漏极区为上下关系配置。

5.如权利要求4所述的具有薄型晶体管结构的动态随机存取存储器的制造方法,其中形成所述深埋层连接区的步骤包括:

进行掺杂工艺,于所述有源区中注入掺杂物,形成所述深埋层连接区。

6.如权利要求5所述的具有薄型晶体管结构的动态随机存取存储器的制造方法,其中形成所述大倾角注入区的步骤包括:

形成第一图案化光致抗蚀剂层于所述基材的表面上;以及

进行离子注入工艺,于所述基材的表面下方的所述有源区中注入掺杂物,形成所述大倾角注入区。

7.如权利要求6所述的具有薄型晶体管结构的动态随机存取存储器的制造方法,其中形成所述源极区的步骤包括:

移除所述第一图案化光致抗蚀剂层;

形成第二图案化光致抗蚀剂层于所述基材的表面上;以及

进行离子注入工艺,于所述大倾角注入区中形成所述源极区。

8.如权利要求7所述的具有薄型晶体管结构的动态随机存取存储器的制造方法,其中形成所述深凹槽的步骤包括:

移除所述第二图案化光致抗蚀剂层;

形成第三图案化光致抗蚀剂层于所述基材的表面上;以及

进行该蚀刻工艺,于所述基材的所述有源区中形成所述深凹槽。

9.一种薄型晶体管结构,形成于基材的有源区中,其包括:

栅极区,设于所述有源区中,并具有一侧;

源极区,设于所述有源区的大倾角注入区中并位于所述栅极区的所述侧;以及

漏极区,设于所述有源区中并位于所述栅极区的所述侧;

其中所述源极区与所述漏极区两者为上下关系配置。

10.如权利要求9所述的薄型晶体管结构,还包括晶体管沟道,所述晶体管沟道位于所述漏极区与所述源极区之间,且邻靠所述栅极区。

11.如权利要求10所述的薄型晶体管结构,其中所述漏极区位于所述源极区的正下方。

12.一种薄型晶体管结构的制造方法,包括:

形成深埋层于基材的有源区中;

形成大倾角注入区于所述基材的表面下方;

形成源极区于所述大倾角注入区中;以及

进行蚀刻工艺,于所述有源区形成深凹槽,所述深凹槽的蚀刻深度达所述深埋层,以于邻靠所述深凹槽侧面的所述深埋层中形成漏极区,且所述漏极区与所述源极区位于所述深凹槽的同一侧,其中位于同一侧的所述源极区与所述漏极区为上下关系配置。

13.如权利要求12所述的薄型晶体管结构的制造方法,其中形成所述深埋层的步骤包括:

进行掺杂工艺,于所述有源区中注入掺杂物,形成所述深埋层。

14.如权利要求13所述的薄型晶体管结构的制造方法,其中形成所述大倾角注入区的步骤包括:

形成第一图案化光致抗蚀剂层于所述基材的表面上;以及

进行离子注入工艺,于所述基材的表面下方的所述有源区中注入掺杂物,形成所述大倾角注入区。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于茂德科技股份有限公司,未经茂德科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810005689.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top