[发明专利]薄型晶体管结构和动态随机存取存储器及其制造方法无效
申请号: | 200810005689.1 | 申请日: | 2008-02-15 |
公开(公告)号: | CN101510550A | 公开(公告)日: | 2009-08-19 |
发明(设计)人: | 陈伟钧 | 申请(专利权)人: | 茂德科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/108 | 分类号: | H01L27/108;H01L23/522;H01L29/786;H01L21/8242;H01L21/768;H01L21/336 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 彭久云 |
地址: | 中国台湾新*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶体管 结构 动态 随机存取存储器 及其 制造 方法 | ||
1.一种具有薄型晶体管结构的动态随机存取存储器,其包括:
多个薄型晶体管,每一所述晶体管位于有源区中,并包括漏极区、源极区以及栅极区,其中所述漏极区与所述源极区位于所述栅极区的同一侧,两者为上下关系配置,且所述源极区位于大倾角注入区中;以及
深埋层连接区,设于所述有源区;
其中每一所述晶体管的漏极区通过所述深埋层连接区相互连接,形成位线。
2.如权利要求1所述的动态随机存取存储器,其中每一所述晶体管还包括晶体管沟道,该晶体管沟道位于所述漏极区与所述源极区之间,且邻靠所述栅极区。
3.如权利要求2所述的动态随机存取存储器,其中所述漏极区位于所述源极区的正下方。
4.一种具有薄型晶体管结构的动态随机存取存储器的制造方法,包括:
形成深埋层连接区于基材的有源区中;
形成大倾角注入区于所述基材的表面下方;
形成多个源极区于所述大倾角注入区中;以及
进行蚀刻工艺,于所述有源区形成多个深凹槽,所述深凹槽的蚀刻深度达所述深埋层连接区,以于邻靠所述深凹槽侧面的所述深埋层连接区中分别形成漏极区,其中位于同一深凹槽同一侧的所述源极区与所述漏极区为上下关系配置。
5.如权利要求4所述的具有薄型晶体管结构的动态随机存取存储器的制造方法,其中形成所述深埋层连接区的步骤包括:
进行掺杂工艺,于所述有源区中注入掺杂物,形成所述深埋层连接区。
6.如权利要求5所述的具有薄型晶体管结构的动态随机存取存储器的制造方法,其中形成所述大倾角注入区的步骤包括:
形成第一图案化光致抗蚀剂层于所述基材的表面上;以及
进行离子注入工艺,于所述基材的表面下方的所述有源区中注入掺杂物,形成所述大倾角注入区。
7.如权利要求6所述的具有薄型晶体管结构的动态随机存取存储器的制造方法,其中形成所述源极区的步骤包括:
移除所述第一图案化光致抗蚀剂层;
形成第二图案化光致抗蚀剂层于所述基材的表面上;以及
进行离子注入工艺,于所述大倾角注入区中形成所述源极区。
8.如权利要求7所述的具有薄型晶体管结构的动态随机存取存储器的制造方法,其中形成所述深凹槽的步骤包括:
移除所述第二图案化光致抗蚀剂层;
形成第三图案化光致抗蚀剂层于所述基材的表面上;以及
进行该蚀刻工艺,于所述基材的所述有源区中形成所述深凹槽。
9.一种薄型晶体管结构,形成于基材的有源区中,其包括:
栅极区,设于所述有源区中,并具有一侧;
源极区,设于所述有源区的大倾角注入区中并位于所述栅极区的所述侧;以及
漏极区,设于所述有源区中并位于所述栅极区的所述侧;
其中所述源极区与所述漏极区两者为上下关系配置。
10.如权利要求9所述的薄型晶体管结构,还包括晶体管沟道,所述晶体管沟道位于所述漏极区与所述源极区之间,且邻靠所述栅极区。
11.如权利要求10所述的薄型晶体管结构,其中所述漏极区位于所述源极区的正下方。
12.一种薄型晶体管结构的制造方法,包括:
形成深埋层于基材的有源区中;
形成大倾角注入区于所述基材的表面下方;
形成源极区于所述大倾角注入区中;以及
进行蚀刻工艺,于所述有源区形成深凹槽,所述深凹槽的蚀刻深度达所述深埋层,以于邻靠所述深凹槽侧面的所述深埋层中形成漏极区,且所述漏极区与所述源极区位于所述深凹槽的同一侧,其中位于同一侧的所述源极区与所述漏极区为上下关系配置。
13.如权利要求12所述的薄型晶体管结构的制造方法,其中形成所述深埋层的步骤包括:
进行掺杂工艺,于所述有源区中注入掺杂物,形成所述深埋层。
14.如权利要求13所述的薄型晶体管结构的制造方法,其中形成所述大倾角注入区的步骤包括:
形成第一图案化光致抗蚀剂层于所述基材的表面上;以及
进行离子注入工艺,于所述基材的表面下方的所述有源区中注入掺杂物,形成所述大倾角注入区。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的