[发明专利]薄型晶体管结构和动态随机存取存储器及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种晶体管结构、其制造方法以及具有此晶体管结构的动态随机存取存储器及其制造方法，尤其涉及一种薄型晶体管结构、其制造方法以及具有此薄型晶体管结构的动态随机存取存储器及其制造方法。

背景技术

动态随机存取存储器(DRAM)是现在半导体及电脑工业上，最重要且主要的存储器元件。虽然基于某些技术上与应用上的因素，使得其他种类的存储器在整个资讯工业上的应用亦相当广泛，但是由于DRAM的高功能与低成本优势，所以到目前为止，DRAM还一直是用量最大、应用最广、售价最低且制造技术上亦最举足轻重的一种存储器。

提供更多存储容量和更快速的存储器芯片是IC产业技术发展的原动力之一，随着大容量存储器的需求增加，DRAM中单位面积所包括的基本存储器单位的数量势必愈来愈高，因此如何在不增加DRAM面积的情况下，提高存储器容量便是诸多半导体制造者所欲积极寻求解决的问题。

一般来说，有采用位线折叠法(Folded Bit Line)的排列方式，来减少位线接触窗(BC)的数量，可进而省下一个BC的空间，来缩减DRAM的大小，但是其能省下的空间有限。

发明内容

本发明的目的之一是在提供一种薄型晶体管结构、其制造方法、具有薄型晶体管结构的动态随机存取存储器及其制造方法，用以缩小动态随机存取存储器中的晶体管结构，进而在相同单位面积的情况下，提供较大的存储容量。

依照本发明的一优选实施例，一种具有薄型晶体管结构的动态随机存取存储器，其包括多个薄型晶体管以及深埋层连接区。每一所述晶体管皆位于有源区中，并包括漏极区、源极区以及栅极区，其中所述漏极区与所述源极区位于所述栅极区的同一侧，两者为上下关系配置，且所述源极区位于大倾角注入区中。其中所述深埋层连接区设于所述有源区中，每一所述晶体管的所述漏极区通过所述深埋层连接区相互连接，形成位线。

依据本发明的具有薄型晶体管结构的动态随机存取存储器的制造方法，是于基材的有源区形成深埋层连接区，其中所述深埋层连接区位于所述基材表面下方的较深处，再于所述基材的表面下方形成大倾角注入区，接着进行离子注入工艺，于所述大倾角注入区中形成多个薄型晶体管的源极区，然后进行蚀刻工艺，于所述有源区形成多个深凹槽，所述深凹槽的蚀刻深度达所述深埋层连接区，以于邻靠于所述深凹槽侧面的所述深埋层连接区，分别形成漏极区，其中位于同一所述深凹槽同一侧的所述源极区与所述漏极区为上下关系配置。

依照本发明的另一优选实施例，一种薄型晶体管结构，是形成于基材的有源区中，并包括栅极区、源极区以及漏极区。所述栅极区设于所述有源区中，并具有侧边。所述源极区设于所述有源区的大倾角注入区中并位于所述栅极区的所述侧边。所述漏极区设于所述有源区中并位于所述栅极区的所述侧边且与所述源极区同一侧。其中所述源极区与所述漏极区两者为上下关系配置。

依据本发明的薄型晶体管结构的制造方法，是于基材的有源区形成深埋层，其中所述深埋层位于所述基材表面下方的较深处，再于所述基材的表面下方形成大倾角注入区，接着进行离子注入工艺，于所述大倾角注入区中形成薄型晶体管的源极区，然后进行蚀刻工艺，于所述有源区形成深凹槽，所述深凹槽的蚀刻深度达所述深埋层，以于邻靠于所述深凹槽侧面的所述深埋层形成漏极区，且所述漏极区与所述源极区位于所述深凹槽的同一侧，其中位于同一侧的源极区与漏极区为上下关系配置。

附图说明

为让本发明的上述和其他目的、特征、优点与实施例能更明显易懂，所附图式的详细说明如下：

图1是绘示为本发明一优选实施例的一种具有薄型晶体管结构的动态随机存取存储器的剖面示意图。

图2是绘示为在本发明一优选实施例中一种具有薄型晶体管结构的动态随机存取存储器形成深埋层连接区后的剖面图。

图3是绘示为图2中的具有薄型晶体管结构的动态随机存取存储器形成大倾角注入区后的剖面图。

图4是绘示为图3中的具有薄型晶体管结构的动态随机存取存储器形成源极区的剖面图。

图5是绘示为图4中的具有薄型晶体管结构的动态随机存取存储器形成嵌壁式栅极的剖面图。

图6是绘示为图5中的具有薄型晶体管结构的动态随机存取存储器形成晶体管沟道的剖面图。

主要元件符号说明

20：基材

22：深埋层连接区

201～203：图案化光致抗蚀剂层

208：晶体管沟道

211：栅极区

213：源极区

215：栅极氧化层