[发明专利]互连结构及其制作方法

权利要求书

1.一种形成互连结构的方法，包括：

提供具有嵌入其中的至少一个金属覆盖导电特征的介电材料，其中所述至少一个金属覆盖导电特征的顶部分延伸高于所述介电材料的上表面；

在所述介电材料上形成介电盖层，所述介电盖层还包封所述至少一个金属覆盖导电特征的延伸高于所述介电材料的上表面的所述顶部分；以及

在所述介电盖层的上表面上形成另一介电材料，

其中所述提供具有至少一个金属覆盖导电特征的所述介电材料包括：在所述介电材料上形成牺牲介电层；形成嵌入在所述介电材料内的导电材料；平坦化以提供其中所述牺牲介电层与所述导电材料共面的结构；在所述导电材料的导电表面上形成金属盖层，其中在所述形成所述金属盖层期间，金属残留物形成在所述牺牲介电层之内或表面处；以及除去包含所述金属残留物的所述牺牲介电层，且

其中所述介电盖层具有15nm至55nm的厚度。

2.一种形成互连结构的方法，包括：

提供具有嵌入其中的至少一个金属覆盖导电特征的介电材料，其中所述至少一个金属覆盖导电特征的顶部分延伸高于所述介电材料的上表面；以及

在所述介电材料上形成介电盖层，所述介电盖层还包封所述至少一个金属覆盖导电特征的延伸高于所述介电材料的上表面的所述顶部分，

其中所述提供具有至少一个金属覆盖导电特征的所述介电材料包括：在所述介电材料上形成牺牲介电层；在所述牺牲介电层上形成抛光选择层；形成嵌入在所述介电材料内的导电材料；平坦化以提供其中所述牺牲介电层与所述导电材料共面的结构，其中所述平坦化除去所述抛光选择层；在所述导电材料的导电表面上形成金属盖层，其中在所述形成所述金属盖层期间，金属残留物形成在所述牺牲介电层内或表面处；以及除去包含所述金属残留物的所述牺牲介电层。

3.一种形成互连结构的方法，包括：

提供具有嵌入其中的至少一个金属覆盖导电特征的介电材料，其中所述至少一个金属覆盖导电特征的顶部分延伸高于所述介电材料的上表面；以及

在所述介电材料上形成介电盖层，所述介电盖层还包封所述至少一个金属覆盖导电特征的延伸高于所述介电材料的上表面的所述顶部分，

其中所述提供具有至少一个金属覆盖导电特征的所述介电材料包括：在所述介电材料上形成牺牲介电层；形成嵌入在所述介电材料内的导电材料；平坦化以提供其中导电材料与所述介电材料共面的结构，其中所述平坦化除去所述牺牲介电层；在所述导电材料的导电表面上形成金属盖层，其中在所述形成所述金属盖层期间，金属残留物形成在所述介电材料的表面处；进行化学等离子工艺以在所述介电材料内形成包括所述金属残留物的破坏的表面层；以及除去所述破坏的表面层。

4.如权利要求2-3任一项所述的方法，还包括在所述介电盖层的上表面上形成另一介电材料。

5.如权利要求1-3任一项所述的方法，其中所述至少一个金属覆盖导电特征包括位于导电材料的上表面上的金属盖层。

6.如权利要求5所述的方法，其中所述金属盖层包括Co、Ir或Ru、或者与W、B、P、Mo和Re中的至少一种形成合金的Co、Ir和RU中的任一种。

7.如权利要求5所述的方法，其中所述导电材料是Cu、W、Al或Cu合金。

8.如权利要求1-3任一项所述的方法，其中所述形成所述介电盖层包括从SiC、Si₄NH₃、SiO₂、碳掺杂氧化物、氮和氢掺杂的碳化硅、及其多层中选择一种。

9.如权利要求3所述的方法，其中所述化学等离子体工艺包括包含氧、氮、氨和氢至少之一的等离子体。