[发明专利]薄膜晶体管装置、其制造方法以及显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管装置，其中，

具有：形成在衬底上的具有源极区域、漏极区域和沟道区域的半导体层；金属膜，形成在所述半导体层上的预定区域；栅极绝缘膜，形成在所述金属膜上以及所述半导体层上；栅电极，形成在所述栅极绝缘膜上；层间绝缘膜，形成在所述栅电极上以及所述栅极绝缘膜上；布线电极，形成在所述层间绝缘膜上，通过接触孔连接到所述金属膜，

在所述半导体层的源极区域以及漏极区域，至少在成为所述接触孔底部的区域形成所述金属膜，没有形成所述金属膜的区域的所述半导体层的膜厚比形成有所述金属膜的所述半导体层的膜厚薄。

2.一种薄膜晶体管装置，其中，

具有：形成在衬底上的具有源极区域、漏极区域和沟道区域的半导体层；金属膜，形成在所述半导体层上的预定区域；栅极绝缘膜，形成在所述金属膜上以及所述半导体层上；栅电极，形成在所述栅极绝缘膜上；层间绝缘膜，形成在所述栅电极上以及所述栅极绝缘膜上；布线电极，形成在所述层间绝缘膜上，通过接触孔与形成在所述源极区域上的所述金属膜连接；上部绝缘膜，形成在所述布线电极上；像素电极，在所述上部绝缘膜上，通过上部接触孔与形成在所述漏极区域上的所述金属膜连接，

在所述半导体层的源极区域以及漏极区域，至少在成为所述接触孔和所述上部接触孔的底部的区域形成所述金属膜，没有形成所述金属膜的区域的所述半导体层的膜厚比形成有所述金属膜的所述半导体层的膜厚薄。

3.一种薄膜晶体管装置，其中，

具有：形成在衬底上的具有源极区域、漏极区域和沟道区域的半导体层；金属膜，形成在所述半导体层上的预定区域；栅极绝缘膜，形成在所述金属膜上以及所述半导体层上；栅电极，形成在所述栅极绝缘膜上；层间绝缘膜，形成在所述栅电极上以及所述栅极绝缘膜上；布线电极，形成在所述层间绝缘膜上；上部绝缘膜，形成在所述层间绝缘膜以及所述布线电极上；像素电极，形成在所述上部绝缘膜上，通过上部接触孔连接所述布线电极和所述金属膜，

在所述半导体层的源极区域以及漏极区域，至少在成为所述上部接触孔的底部的区域形成所述金属膜，没有形成所述金属膜的区域的所述半导体层的膜厚比形成有所述金属膜的所述半导体层的膜厚薄。

4.一种薄膜晶体管装置，其中，

具有：形成在衬底上的具有源极区域、漏极区域和沟道区域的半导体层；金属膜，形成在所述半导体层上的预定区域；栅极绝缘膜，形成在所述金属膜上以及所述半导体层上；栅电极，形成在所述栅极绝缘膜上；层间绝缘膜，形成在所述栅电极上以及所述栅极绝缘膜上；布线电极，形成在所述层间绝缘膜上，通过接触孔与所述金属膜连接，

在所述半导体层的源极区域以及漏极区域，至少在成为所述接触孔的底部的区域形成所述金属膜，没有形成所述金属膜的区域的所述半导体层的膜厚比形成有所述金属膜的所述半导体层的膜厚薄。

5.一种薄膜晶体管装置，其中，

具有：形成在衬底上的具有源极区域、漏极区域和沟道区域的半导体层；金属膜，形成在所述半导体层上的预定区域；栅极绝缘膜，形成在所述金属膜上以及所述半导体层上；栅电极，形成在所述栅极绝缘膜上；层间绝缘膜，形成在所述栅电极上以及所述栅极绝缘膜上；布线电极，形成在所述层间绝缘膜上，通过接触孔与所述金属膜连接，

在所述半导体层的源极区域以及漏极区域，至少在成为所述接触孔的底部的区域形成所述金属膜，没有形成所述金属膜的区域的所述半导体层的膜厚比形成有所述金属膜的所述半导体层的膜厚薄，

没有形成所述金属膜的区域的所述半导体层的由JISB0601规定的表面粗糙度Ra是形成有所述金属膜的所述半导体层的表面粗糙度Ra的1/2以下。

6.根据权利要求1的薄膜晶体管装置，其特征在于，还具有：

半导体层，在所述衬底上，在成为保持电容部的区域延伸地形成；

形成在所述半导体层上的金属膜；

栅极绝缘膜，形成在所述金属膜上，成为所述保持电容部的电介质膜；

形成在所述栅极绝缘膜上的所述保持电容部的上部电极。

7.根据权利要求6的薄膜晶体管装置，其特征在于，

所述栅电极和所述保持电容部的所述上部电极由相同的材料构成。