[发明专利]校正金属薄膜沉积位置的控片、方法及偏移量化方法

权利要求书

1.一种校正金属薄膜沉积位置的控片，其特征在于在控片表面上设置有：定位标记；

多组临近控片边缘的刻度标记，各组刻度标记标示出距控片边缘的多个可读取的距离值，以控片中心为顶点，上述多组刻度标记之间形成预定角度。

2.根据权利要求1所述的控片，其特征在于上述定位标记为控片边缘的一个V字形切口，以控片中心为顶点，上述多组刻度标记中的各任意相临两组之间具有相同的角度。

3.根据权利要求1所述的控片，其特征在于上述各组刻度标记为实质上垂直于控片半径的多条短线，各相临两条短线之间的距离相等。

4.根据权利要求1、2或3所述的控片，其特征在于上述刻度标记为4到8组，通过激光刻于控片的表面。

5.一种校正金属薄膜沉积位置的控片，其特征在于在圆形控片表面上设置有：定位标记；

多个临近控片边缘的同心圆刻度标记，标示出多个距控片边缘的可读取的距离值；以及多条半径，标示出预定的方向。

6.根据权利要求5所述的控片，其特征在于各相临两个同心圆刻度标记的直径差相同，各两临两条半径之间的夹角相同。

7.根据权利要求5或6所述的控片，其特征在于上述多条半径的数目为4到8条。

8.一种校正金属薄膜沉积位置的方法，其特征在于包括下列步骤：

步骤a，在如权利要求1到7所述的控片上沉积金属薄膜；

步骤b，从沉积后的控片上读取薄膜偏移的方向和偏移量；

步骤c，根据步骤b中读取的偏移方向和偏移量，调整沉积设备。

9.一种金属薄膜沉积偏移的量化方法，其特征在于包括下列步骤：

步骤e，在如权利要求1到7所述的控片上沉积金属薄膜；

步骤f，从沉积后的控片上读取量化的薄膜偏移方向和偏移量。