[发明专利]校正金属薄膜沉积位置的控片、方法及偏移量化方法

说明书

技术领域

本发明涉及集成电路制造工艺技术领域，且特别涉及一种校正金属薄膜沉积位置的控片、方法及偏移量化方法。

背景技术

金属薄膜沉积已广泛地应用于集成电路制造工艺。在金属薄膜沉积时，因机台手臂或者其他部件的位置偏移会导致沉积的金属薄膜存在大小边情况，即薄膜偏移预定的或者说理想的位置，因此会导致产品异常甚至报废。为了防止这种情况，工程师会定期用控片(非产品)来校正机台。校正方法是：步骤1，用控片沉积金属薄膜；步骤2，工程师用肉眼观察金属薄膜在控片表面的偏移情况；步骤3，工程师根据偏移情况调整手臂位置；步骤4，调整后重新用控片沉积金属薄膜。因为工程师是根据自己肉眼判断，所以无法量化薄膜的偏移方向和需要的调整值，常常需要数次调整才能达到相对较佳的情况。此方法耗时长且效果不一定好。

发明内容

鉴于现有技术存在的上述缺陷，本发明的一个目的是提供一种校正金属薄膜沉积位置的控片，以利于量化薄膜的偏移方向和偏移量，简化和精确化对机台的调整。

本发明的另一个目的是提供一种校正金属薄膜沉积位置的方法，以简化和精确化对机台的调整。

本发明的再一个目的是提供一种金属薄膜沉积偏移的量化方法，以简化和精确化对机台的调整。

根据本发明的一种校正金属薄膜沉积位置的控片，表面上设置有：定位标记；多组临近控片边缘的刻度标记，各组刻度标记标示出距控片边缘的多个可读取的距离值，以控片中心为顶点，上述多组刻度标记之间形成预定角度。

作为优选，上述定位标记可以为控片边缘的一个V字形切口，以控片中心为顶点，上述多组刻度标记中的各任意相临两组之间具有相同的角度。

作为优选，上述各组刻度标记可以为实质上垂直于控片半径的多条短线，各相临两条短线之间的距离可以相等或不相等。

作为优选，上述刻度标记为4到8组，通过激光刻于控片的表面。

根据本发明的另一种校正金属薄膜沉积位置的控片，在圆形控片表面上设置有：定位标记；多个临近控片边缘的同心圆刻度标记，标示出多个距控片边缘的可读取的距离值；以及多条半径，标示出预定的方向。

作为优选，各相临两个同心圆刻度标记的直径差相同，各两临两条半径之间的夹角相同。

作为优选，上述多条半径的数目为4到8条。

本发明的一种校正金属薄膜沉积位置的方法包括下列步骤：

步骤a，在本发明的控片上沉积金属薄膜；

步骤b，从沉积后的控片上读取薄膜偏移的方向和偏移量；

步骤c，根据步骤b中读取的偏移方向和偏移量，调整沉积设备。

本发明的一种金属薄膜沉积偏移的量化方法包括下列步骤：

步骤e，在本发明的控片上沉积金属薄膜；

步骤f，从沉积后的控片上读取量化的薄膜偏移方向和偏移量。

由于本发明在空白的控片上引入了刻度和角度，因此在控片上沉积后可以从上述刻度和角度中读取出沉积偏移的方向及偏移量，便可以有目的的量化调整机台手臂或其它相关部件。由于可以量化偏移方向和偏移量，因此调整基本上可以一次完成，而且精度较高。从而提高调整速度及精度，提高机台的效率和产品质量。

附图说明

图1为金属薄膜沉积位置准确的晶圆的示意图；

图2为金属薄膜沉积位置偏移的晶圆的示意图；

图3为根据本发明的一个实施例的校正金属薄膜沉积位置的控片的示意图；

图4为在根据本发明的一个实施例的控片上沉积金属薄膜后的控片示意图；

图5为根据本发明的另一个实施例的校正金属薄膜沉积位置的控片的示意图。

具体实施方式

下面结合附图，对本发明的具体实施方式作进一步的详细说明。对于所属技术领域的技术人员而言，从对本发明的详细说明中可以看出，本发明的上述和其他目的、特征和优点将显而易见。

图1为金属薄膜沉积位置准确的晶圆的示意图。如图1所示，在机台正常时，金属薄膜2恰如要求的沉积在晶圆1的中心，即金属薄膜2与晶圆1为同心圆。

然而，在机台的使用中，机台手臂或其它部件可能会发生偏移，使得沉积出的薄膜位置偏离预定的位置，即在晶圆上出现大小边的情况。如图2所示，在一个示意性的实例中金属薄膜2偏离于晶圆1的中心。在图2中可以看到，金属薄膜2大致上偏向晶圆1的左侧，即出现左边小，右边大的状况。

为快速和准确地校正该偏移，本发明提出了一种校正金属薄膜沉积位置的控片。