[发明专利]制造一种模铸线圈结构的方法及模铸线圈结构无效

专利信息
申请号: 200810006302.4 申请日: 2008-01-29
公开(公告)号: CN101499358A 公开(公告)日: 2009-08-05
发明(设计)人: 林伙利 申请(专利权)人: 三积瑞科技(苏州)有限公司
主分类号: H01F17/00 分类号: H01F17/00;H01F27/29;H01F41/02
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 代理人: 梁 挥;祁建国
地址: 215126江苏省苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 制造 一种 线圈 结构 方法
【说明书】:

技术领域

发明是有关于一种模铸线圈结构,且特别是有关于一种制造一模铸线圈结构的方法及一种模铸线圈结构。

背景技术

电感是电路中的一种重要元件,可以实现滤波、储能、放能、谐振的功效。在电子产品日趋小型化,可携式,元件高密度装配下,电感元件得以快速发展,且在电磁相容的因素考虑之下,电子产品的电磁干扰消除更成为电子产品的基本要求,各国均制订许多法规来约束,只有符合规定的才可销售,更加重电感需求及应用。

常见的电感元件的制造方式,如图1A所示,为一电感元件中的一线圈10及二导电片11及12的俯视图,将一线圈10的二端点100及101直接置于二导电片11及12分别的一第一端点110及120上,以进行焊接。图1B所示,为线圈10及二导电片11及12在焊接后,经一磁性材料以高压工艺充填形成一包覆结构13后,再进行外部的封装的电感元件1的立体透视图。如此做法,因为将二端点100及101直接置于第一端点110及120上进行焊接,容易因为充填过程中磁性材料的挤压形变,在未有固定作用的设计的情况下而脱落。并且,上述设计二端点100及101与第一端点110及120的接触面积小,使得线圈及二导电片间的电性连接效果较差,都是影响电感元件制造成品率及性能的重要因素。

因此,如何设计一个新的模铸线圈结构,能够强化二导电片及线圈的连接及增加导电特性,更进一步提升模铸线圈结构的电感特性,成为为业界亟待解决的问题。

发明内容

因此本发明的目的就是在于提供一种制造一模铸线圈结构的方法,包含下列步骤:提供一导电件,包含二导电片及一连接部,其中该二导电片分别具有一第一端点及第二端点,该连接部连接该二导电片的第二端点;提供一线圈;分别在二导电片的第一端点形成至少一弯折结构,使线圈的二端点分别嵌合于二导电片的至少一弯折结构中;以及以一焊接工艺分别连接线圈的二端点于二导电片的至少一弯折结构上。

本发明的另一目的是在提供一种模铸线圈结构,包含:一线圈、二导电片及一包覆结构。线圈包含两端点;二导电片,分别包含:一第一端点,包含至少一弯折结构,使线圈的一端点嵌合于至少一弯折结构中;以及一第二端点。包覆结构,包含一磁性材料,包覆结构包覆二导电片及线圈;其中二导电片的第二端点露出包覆结构外,用以电性连接于一外部电路。

本发明的优点在于通过本发明导电片的弯折结构,一方面使导电片及线圈的连接能够强化而不易脱落,一方面使导电片及线圈的接触面积增加,导电性更为良好,使得模铸线圈结构的电感特性大幅提升,而轻易地实现上述目的。

在参阅附图及随后描述的具体实施例后,本领域技术人员便可了解本发明的目的,以及本发明的技术方案及实施态样,但不作为对本发明的限定。

附图说明

为让本发明的上述和其他目的、特征、优点与实施例能更明显易懂,所附附图的详细说明如下:

图1A为现有技术中,一电感元件中的一线圈及二导电片的俯视图;

图1B为现有技术中,电感元件立体透视图;

图2A为本发明第一实施例的一模铸线圈结构的立体透视图;

图2B为本发明第一实施例的一线圈及二导电片的俯视图;

图2C为本发明第二实施例的一线圈及二导电片的俯视图;

图3为本发明的一导电件的俯视图;

图4为本发明第三实施例的一线圈及二导电片的俯视图;以及

图5为本发明第四实施例的一种制造一模铸线圈结构的流程图。

其中,附图标记

1:电感元件                         10:线圈

100、101:端点                      11、12:导电片

110、120:第一端点                   13:包覆结构

2:模铸线圈结构                     20:线圈

201、202:端点                      21、22:导电片

210、220:第一端点                   210a、220a:弯折结构

210’、220’:第一端点               210’a、210’b、210’c、220’a、220’b

211、221:第二端点                  及220’c:弯折结构

23:包覆结构                        3:导电件

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