[发明专利]一种超低压保护器件的结构设计无效
| 申请号： | 200810006761.2 | 申请日： | 2008-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN101499490A | 公开（公告）日： | 2009-08-05 |
| 发明（设计）人： | 淮永进 | 申请（专利权）人： | 淮永进 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L21/329 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100015北京市朝*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 低压 保护 器件 结构设计 | ||
【权利要求书】：
1.一种超低压保护器件的结构设计，及制造方法。在衬底1层，通过注入，扩散或外延形成预定的杂质浓度和厚度的异型掺杂层2，再通过隔离、有源区掺杂，阻挡层生成淀积金属，形成本发明结构。
2.根据权利1要求，形成的异形掺杂层2的厚度为1～15μm，杂质浓度1015cm-3～1019cm-3，该层可以是注入掺杂，也可以扩散掺杂。
3.根据权利1要求，权力2也可以是外延参杂。
4.根据权利1要求，通过改变异型层的杂质浓度，满足不同的电压要求，掺杂浓度不同。
5.根据权利1要求，隔离层可以是注入，也可以是扩散。
6.根据权利1要求，有源区可以是注入，也可以扩散，在800℃～1200℃下形成。
7.根据权利1要求，阻挡层可以是NiCr或掺杂多晶硅。
8.根据权利1要求，掺杂多晶可以掺磷，也可以是掺硼的。
9.根据权利1要求，本发明要求的异型掺杂结构，用于制作超低压保护器件，并可通过改变掺杂浓度获得1.5～5V不同的电压值。
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