[发明专利]一种半导体炉管的温度设置方法

权利要求书

1、一种半导体炉管的温度设置方法，该炉管分为内管和外管，外管的外部具有加热装置，内管内部装设有用于装载晶片的晶舟和用于监控内管内部情况的监控器，其特征在于，

内管的上、下端和外管的下端均设置有进气口和排气口；

炉管沿轴向分为至少3个区域，利用加热装置使该至少3个区域的温度彼此相同或不同。

2、根据权利要求1所述的温度设置方法，其特征在于通入气体时，内管中有气体流动，气体流动方向包括从内管底部流入内管顶部的方向，从内管顶部流入内管底部的方向。

3、根据权利要求1或2所述的温度设置方法，其特征在于通入反应气体时，上述至少3个区域的温度沿内管中的气体流动方向逐渐增加；通入清洁用气体时，上述至少3个区域的温度沿内管中的气体流动方向逐渐减小。

4、根据权利要求1所述的温度设置方法，其特征在于上述监控器包含温度监控装置，用于监控内管内的温度。

5、根据权利要求1或4所述的温度设置方法，其特征在于上述加热装置的温度可以根据需要，由连接加热装置的控制装置调节。

6、根据权利要求5所述的温度设置方法，其特征在于调节加热装置的温度的方法包括以下步骤：

步骤1、监控器监测内管内各段的温度；

步骤2、监控器监测到的各段温度传送给上述控制装置；

步骤3、上述控制装置比较预设温度和当前温度的差异，如果当前温度与预设温度相同，则返回步骤1，如果当前温度与预设温度不同，则控制装置设定各段需要的温度并将该温度的信号传送该加热装置。

7、根据权利要求6所述的温度设置方法，其特征在于还包括：

步骤4、加热装置根据信号升高或降低各段的温度。

8、根据权利要求1所述的温度设置方法，其特征在于上述加热装置的分区为一固定值，由待加热的机台和待加热的晶片决定。

9、根据权利要求1所述的温度设置方法，其特征在于通入反应气体时，如果反应气体从上述内管下部进气口流入，从内管上部出气口流出，进入外管，而后从外管下部出气口流出，则上述加热装置的上述区域的温度按从炉管顶部到底部顺序逐渐降低；如果反应气体从上述外管下部进气口流入，从内管上部出气口流入内管，而后从内管下部出气口流出时，上述加热装置的上述区域的温度按从炉管顶部到底部顺序逐渐升高。

10、根据权利要求1所述的温度设置方法，其特征在于通入清洁用气体时，如果清洁用气体从上述内管下部进气口流入，从内管上部出气口流出，进入外管，而后从外管下部出气口流出，则上述加热装置的上述区域的温度按从炉管顶部到底部顺序逐渐升高；如果清洁用气体从上述外管下部进气口流入，从内管上部出气口流入内管，而后从内管下部出气口流出时，上述加热装置的上述区域的温度按从炉管顶部到底部顺序逐渐降低。