[发明专利]一种半导体炉管的温度设置方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造方法的技术领域，特别涉及一种半导体炉管的温度设置方法。

背景技术

炉管是半导体制造中的一种重要设备，用来进行通入气体加热、净化等处理，进行炉管回火制造工艺。公知的炉管周围有加热装置，可以为炉管进行加热，从而完成对炉管内的晶片的处理。炉管还包含进气口和出气口，用于通入气体；一个或多个监控器，用于对通入气体的流量和加热的温度进行监测和控制。

然而，在目前的处理程序中，加热装置所提供的温度是在整个炉管内相同的，因此，在整个炉管中加热装置的各部分散发的热量相同，在通入气体的情况下，由于气体在流动中的消耗，会使得反应气体随着流动而逐渐减少，而且流动的气体会使得整个炉管内的热量不稳定，此时如果不能进行控制，则对晶片产生负面影响，此时通入可以通过通入相反方向的气体保证晶片的膜厚均匀，但是由于炉管不同位置的热量分布不同，容易导致产品的性能和电性受到影响。

发明内容

鉴于上述，本发明的目的在于提供一种新的炉管加热方法，可以为晶片加热时使炉管中的晶片厚度保持均匀。

为达上述目的，本发明提供了一种半导体炉管的温度设置方法，该炉管分为内管和外管，外管的外部具有加热装置，内管内部装设有用于装载晶片的晶舟和用于监控内管内部情况的监控器，

内管的上、下端和外管的下端均设置有进气口和排气口；

炉管沿轴向分为至少3个区域，利用加热装置使该至少3个区域的温度彼此相同或不同。

作为优选，通入气体时，内管中有气体流动，气体流动方向包括从内管底部流入内管顶部的方向，从内管顶部流入内管底部的方向。

作为优选，通入反应气体时，上述至少3个区域的温度沿内管中的气体流动方向逐渐增加；通入清洁用气体时，上述至少3个区域的温度沿内管中的气体流动方向逐渐减小。

作为优选，上述监控器包含温度监控装置，用于监控内管内的温度。

作为优选，上述加热装置的温度可以根据需要，由连接加热装置的控制装置调节。

作为优选，调节加热装置的温度的方法包括以下步骤：

步骤1、监控器监测内管内各段的温度；

步骤2、监控器监测到的各段温度传送给上述控制装置；

步骤3、上述控制装置比较预设温度和当前温度的差异，如果当前温度与预设温度相同，则返回步骤1，如果当前温度与预设温度不同，则控制装置设定各段需要的温度并将该温度的信号传送该加热装置。

作为优选，还包括：

步骤4、加热装置根据信号升高或降低各段的温度。

作为优选，上述加热装置的分区为一固定值，由待加热的机台和待加热的晶片决定。

作为优选，通入反应气体时，如果反应气体从上述内管下部进气口流入，从内管上部出气口流出，进入外管，而后从外管下部出气口流出，则上述加热装置的上述区域的温度按从炉管顶部到底部顺序逐渐降低；如果反应气体从上述外管下部进气口流入，从内管上部出气口流入内管，而后从内管下部出气口流出时，上述加热装置的上述区域的温度按从炉管顶部到底部顺序逐渐升高。

作为优选，通入清洁用气体时，如果清洁用气体从上述内管下部进气口流入，从内管上部出气口流出，进入外管，而后从外管下部出气口流出，则上述加热装置的上述区域的温度按从炉管顶部到底部顺序逐渐升高；如果清洁用气体从上述外管下部进气口流入，从内管上部出气口流入内管，而后从内管下部出气口流出时，上述加热装置的上述区域的温度按从炉管顶部到底部顺序逐渐降低。

本发明的有益效果在于，利用加热装置的按位置不同地加热，保证炉管内的热量分布均匀，能够使得晶片的膜厚更加均匀，有利于保证晶片的电性和性能。并且，采用本发明所述方法可以提高每次加热的芯片的数量，可以使数量提高50％。

下面结合附图，对本发明的具体实施方式作进一步的详细说明。对于所属技术领域的技术人员而言，从对本发明的详细说明中，本发明的上述和其他目的、特征和优点将显而易见。

附图说明

图1是本发明一较佳实施例的从内管下部通入气体的炉管示意图。

图2是本发明一较佳实施例的从外管下部通入气体的炉管示意图。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对本发明所述的一种半导体炉管的温度设置方作进一步的详细说明。