[发明专利]半导体的封装结构和封装方法无效
申请号: | 200810008205.9 | 申请日: | 2008-02-05 |
公开(公告)号: | CN101504919A | 公开(公告)日: | 2009-08-12 |
发明(设计)人: | 叶秀慧 | 申请(专利权)人: | 叶秀慧 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/60;H01L21/56;H01L25/00;H01L23/488;H01L23/31 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 章社杲;李丙林 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 封装 结构 方法 | ||
1.一种球栅阵列封装结构的封装方法,包括:
提供载板,其具有第一表面和第二表面;
在所述载板的所述第一表面上形成高分子材料层,所述高分子材料层具有上表面和下表面,其中所述下表面形成于所述载板的所述第一表面上;
在所述高分子材料层的所述上表面上形成多个图案化的导电接点,每一个所述导电接点具有正面和背面,并且所述导电接点的背面形成于所述高分子材料层的所述上表面;
提供多个半导体芯片,每一个所述半导体芯片的有源面上配置有多个焊垫;
贴附所述半导体芯片,将每一个所述半导体芯片的有源面上的所述焊垫与所述导电接点形成电连接;
注入模流,以形成封装体用来包覆所述半导体芯片和所述高分子材料层的上表面;
剥除所述高分子材料层和所述载板,以曝露出每一个所述导电接点的所述正面;
形成多个导电元件并电连接至每一所述导电接点的所述正面;以及
切割所述封装体,以形成多个完成封装的半导体结构。
2.根据权利要求1所述的封装方法,其中,所述导电接点为具有弹性的导电材料。
3.根据权利要求2所述的封装方法,其中,所述弹性的导电材料为导电的高分子凸块。
4.根据权利要求1所述的封装方法,其中,形成所述导电接点的方法包括:
在所述高分子材料层上形成导电层;
在所述导电层上形成具有图案化的光阻层;以及
移除部分所述导电层以形成所述多个图案化的导电接点。
5.一种球栅阵列封装结构的封装方法,包括:
提供载板,具有第一表面和第二表面;
在所述载板的所述第一表面上形成高分子材料层,所述高分子材料层具有上表面和下表面,其中所述下表面形成于所述载板的所述第一表面上;
在所述高分子材料层的所述上表面上形成多个图案化的金属端点,每一个所述金属端点具有延长部分并具有正面和背面,其中所述金属端点的所述背面形成于所述高分子材料层的所述上表面上;
提供多个半导体芯片,每一个所述半导体芯片的有源面上配置有多个焊垫;
贴附所述半导体芯片,将每一个所述半导体芯片的所述有源面上的所述焊垫与所述具有延长部分的金属端点的一端的所述正面形成电连接;
注入模流,以形成封装体用来包覆所述半导体芯片和所述高分子材料层的所述上表面;
剥除所述高分子材料层和所述载板,以曝露出每一个所述具有延长部分的所述金属端点的所述正面;
形成保护层,以覆盖每一个所述具有延长部分的所述金属端点并且曝露出所述具有延长部分的所述金属端点的另一端;
形成多个导电元件,将所述导电元件电连接于所述金属端点的延长部分的另一端的所述正面上;以及
切割所述封装体,以形成多个完成封装的半导体结构。
6.根据权利要求5所述的封装方法,其中,形成所述金属端点的方法包括:
在所述高分子材料层上形成金属层;
在所述金属层上形成具有图案化的光阻层;以及
移除部分所述金属层以形成所述多个具有相同图案的金属端点。
7.一种球栅阵列封装结构的封装方法,包括:
提供电路板,具有上表面和下表面,所述上表面配置有多个图案化的导电接点,而所述下表面则配置有相应的并与所述导电接点电连接的多个金属端点;
贴附所述电路板,将所述电路板的所述下表面贴附至载板的第一表面上;
提供多个半导体芯片,每一个所述半导体芯片的有源面上配置有多个焊垫;
贴附所述半导体芯片,将每一个所述半导体芯片的所述有源面上的所述焊垫与所述导电接点形成电连接;
注入模流,以形成封装体用来包覆所述半导体芯片和所述电路板的所述上表面;
剥除所述载板,以曝露出所述电路板下表面的多个金属端点的表面;
在所述金属端点的所述表面上形成多个导电元件;以及
切割所述封装体和所述电路板,以形成多个完成封装的半导体结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造